根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，中國NAND Flash廠商長江存儲(YMTC)已在第一季將128層3D NAND樣品送交存儲控制器廠商，目標第三季進入投片、年底前量產(chǎn)，擬用于UFS、SSD等各類終端產(chǎn)品，并同時出貨給模組廠?？剂靠蛻魧?dǎo)入時程，預(yù)估長江存儲新產(chǎn)品可能率先影響第四季W(wǎng)afer市場合約價，并自2021年起對Client SSD、eMMC/UFS等市場供給產(chǎn)生實質(zhì)貢獻，在供給增加的情況下，價格下跌的可能性也將提高。

　　集邦咨詢表示，受到疫情影響，智能手機及筆記本電腦等終端需求將受到不小沖擊，并對NAND Flash主流供應(yīng)商獲利能力造成影響，抑制未來持續(xù)擴產(chǎn)的幅度。相較之下，長江存儲目前在各類應(yīng)用的市占規(guī)模仍小，因此受疫情影響較低。當前目標將著重于與OEM進行64層TLC的相關(guān)產(chǎn)品導(dǎo)入及提升良率，并趕在今年內(nèi)送交128層產(chǎn)品樣品，將同時包含TLC以及QLC產(chǎn)品，以擴大客戶基礎(chǔ)。

　　3D NAND堆棧難度漸增，有利長江存儲縮小差距

　　隨著3D NAND Flash堆棧達到90層以上，主要供應(yīng)商在更高層數(shù)蝕刻及堆棧技術(shù)的發(fā)展難度逐漸增加。觀察各供應(yīng)商的技術(shù)路線圖，在1XX層的產(chǎn)品世代已有分歧：盡管三星(Samsung)、SK海力士(SK Hynix)已推出128層產(chǎn)品，但鎧俠/西數(shù)(Kioxia/WD)、美光(Micron)、英特爾(Intel)的112/128/144層產(chǎn)品要到下半年才會放量，相比前幾代3D NAND產(chǎn)品的發(fā)展進程來得更久，有利于長江存儲的128層產(chǎn)品迎頭趕上。

　　除此之外，2019年NAND Flash的價格平均跌幅達46%，導(dǎo)致主要供應(yīng)商陷入虧損，資本支出因而轉(zhuǎn)為保守，產(chǎn)出增長規(guī)劃亦創(chuàng)下歷史新低，這也讓長江存儲有了拉近差距的機會。

　　2021年長江存儲產(chǎn)能預(yù)估占整體NAND Flash約8%

　　身為新進供應(yīng)商的長江存儲目前擁有武漢廠，今年目標是成都廠開始投產(chǎn)，并逐步完成武漢廠區(qū)剩余二座廠房的興建與擴產(chǎn)。除了擴張規(guī)劃積極，長江存儲也是國家大基金的重點扶植廠商，可以預(yù)期NAND Flash市場競爭將更為嚴峻，長期價格面臨持續(xù)走跌的壓力。