11 月 26 日消息，韓媒 The Elec 今天（11 月 26 日）發布博文，報道稱三星電子在生產 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達到此前用量的一半。

援引消息源報道，此前每層涂層需要 7-8cc 的光刻膠，而三星通過精確控制涂布機的轉速（rpm）以及優化 PR 涂層后的蝕刻工藝，現在只需要 4-4.5cc。

而另一個重要因素，是三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成 1 層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個層，從而提高工藝效率。

不過更厚的光刻膠在生產中也有挑戰，由于光刻膠具有高粘度，在涂層工藝時會導致均勻性問題。

三星與長期合作伙伴東進半導體化學公司自 2013 年起就密切合作，共同研發高性能光刻膠。東進半導體一直是三星 KrF 光刻膠的獨家供應商，為三星第 7 代（11 微米）和第 8 代（14 微米）3D NAND 提供了關鍵材料。

消息稱從第 9 代 3D NAND 開始，三星將全面應用這項新技術，這一創新舉措不僅提高了生產效率，更將為三星節省每年數十億韓元的巨額成本。

同時也意味著東進半導體將面臨來自三星的訂單減少，東進半導體目前每年從光刻膠業務中獲得約 2500 億韓元收入，其中 60% 來自三星。