香港, Apr 6, 2016 - (ACN Newswire) - 全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導(dǎo)體有限公司（「華虹半導(dǎo)體」或「公司」，連同其附屬公司，統(tǒng)稱「集團」，股份代號：1347.HK）今天宣布公司90納米嵌入式閃存（eFlash）工藝平臺已成功實現(xiàn)量產(chǎn)，基于該平臺制造的芯片以其尺寸小、功耗低、性能高的特點，具有很強的市場競爭優(yōu)勢。

　　華虹半導(dǎo)體自主研發(fā)的90納米低功耗（LP）嵌入式閃存（eFlash）工藝平臺，是國內(nèi)最先進(jìn)的200mm晶圓嵌入式存儲器技術(shù)，可與標(biāo)準(zhǔn)邏輯工藝完全兼容；在確保高性能和高可靠性的基礎(chǔ)上，提供了極小面積的低功耗Flash IP；具有極高集成度的基本單元庫，與0.11微米eFlash工藝相比，門密度提升30%以上。基于這些優(yōu)點，華虹半導(dǎo)體90納米eFlash工藝的芯片面積較0.11微米eFlash工藝平臺，減小30%以上，再加上較低的光罩成本優(yōu)勢，能夠為SIM卡、Ukey、SWP、社保卡、交通卡等智能卡和安全芯片產(chǎn)品以及MCU產(chǎn)品提供極佳性價比的芯片制造技術(shù)解決方案。

　　華虹半導(dǎo)體嵌入式非易失性存儲器平臺是公司最重要的戰(zhàn)略工藝平臺之一，從0.35微米、0.18微米、0.11微米，到現(xiàn)在的90納米，一路走來，始終保持著業(yè)界領(lǐng)先地位，穩(wěn)定可靠的工藝平臺為多家客戶提供了優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，受到客戶廣泛認(rèn)可。同時，公司通過持續(xù)在該技術(shù)領(lǐng)域的深耕發(fā)展，已成為智能卡IC生產(chǎn)領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者、全球最大的智能卡IC代工者。

　　華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示，華虹半導(dǎo)體是嵌入式非易失性存儲器制造工藝技術(shù)方面的專家，能夠在相對更小的芯片上發(fā)揮卓越性能。相信90納米eFlash工藝的成功量產(chǎn)將推動新一代應(yīng)用的快速發(fā)展。公司將通過進(jìn)一步縮小Flash基本存儲單元、提升基本單元庫的集成度、并減少光罩層數(shù)，持續(xù)追求具有更小芯片和更低成本的解決方案，繼續(xù)成為智能卡及微控制器等多種快速發(fā)展的嵌入式非易失性存儲器應(yīng)用的首選半導(dǎo)體代工公司。