中國北京，2024年12月5日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布一項非易失性存儲領域的重大創(chuàng)新。該創(chuàng)新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術：基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節(jié)點平臺，X-FAB可為客戶提供符合AECQ100 Grade-0標準的32kByte容量嵌入式閃存IP，并配備額外的4Kbit EEPROM。此外，從2025年起，X-FAB還計劃推出更大容量的64KByte、128KByte閃存以及更大存儲空間的EEPROM。

　　通過采用獨特的方法，將閃存和EEPROM元件都置于單個宏單元內，并共享必要的控制電路。這意味著使用更簡單的布局從而減少組合元件的總體占用面積，并為支持Grade-0，175°C的32KBytes存儲解決方案設定了新的行業(yè)基準。

　　該嵌入式閃存為客戶帶來市場上最先進的數(shù)據訪問能力，能夠在整個-40°C至175°C溫度范圍內讀取數(shù)據，而EEPROM也能在高達175°C的溫度下寫入數(shù)據。EEPROM適用于需要頻繁寫入數(shù)據的應用，可提高閃存的耐用性與靈活性；它還可以有效地充當緩存，在工作條件不適合寫入閃存時將數(shù)據編程至EEPROM，然后當溫度降至125°C以下時再寫入閃存。得益于出色的穩(wěn)健性、持續(xù)的數(shù)據存儲完整性和顯著的空間節(jié)省，該IP旨在滿足汽車、醫(yī)療和工業(yè)應用的需求。

　　這款新型NVM組合IP采用64位總線，閃存元件采用8位ECC，EEPROM元件采用14位ECC，這使得集成該IP所部署的器件實現(xiàn)零PPM誤差性能。用于輕松訪問存儲器和DFT的專用電路可大幅縮短測試時間，并將相關成本降至最低。如有需要，X-FAB還可提供BIST模塊和測試服務。

　　X-FAB法國無塵室

　　“通過這款采用我們專有SONOS技術的新型NVM IP，X-FAB實現(xiàn)了最高水準的可靠性。這一IP將為我們客戶的嵌入式系統(tǒng)提供一流的數(shù)據保持能力和溫度穩(wěn)定性。”X-FAB NVM開發(fā)總監(jiān)Thomas Ramsch介紹說，“通過將閃存和EEPROM兩種不同的NVM元件集成到單個宏單元上，我們現(xiàn)在可以構建一種能夠應對最嚴苛的工作情況的嵌入式數(shù)據存儲解決方案。”

　　“憑借更小的占用空間和更快的訪問速度，我們的NVM組合IP將在高邏輯密度應用的開發(fā)中發(fā)揮關鍵作用。”X-FAB NVM解決方案技術營銷經理Nando Basile補充道，“這將使下一代智能傳感器和執(zhí)行器CPU系統(tǒng)設計無論是在ARM或RISC-V等成熟CPU架構上，還是在客戶的專有設計中具備更廣泛的功能范圍。”

　　縮略語：

　　BCDBipolar-CMOS-DMOS ：雙極型晶體管-互補金屬氧化物半導體-雙擴散金屬氧化物半導體

　　NVMNon-Volatile-Memory：非易失性存儲

　　BISTBuild-In Self-Test：內建自測試

　　DFTDesign for Testability：可測性設計

　　ECCError Checking and Correcting：錯誤檢查和糾正

　　EEPROM帶電可擦可編程只讀存儲器

　　PPM百萬分率

　　SOI絕緣體上硅

　　SONOSSilicon Oxide Nitride Oxide Silicon硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅

　　Ref: XFA010D2

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