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中國礦機(jī)三巨頭赴美設(shè)廠

6月19日消息，據(jù)路透社報(bào)道，全球前三大比特幣和加密貨幣礦機(jī)制造商比特大陸、嘉楠耘智和比特微電子為規(guī)避美國關(guān)稅政策影響，都計(jì)劃在美國設(shè)立制造工廠并建立供應(yīng)鏈。 “礦機(jī)”市場持續(xù)增長，中國廠商占據(jù)壟斷地位隨著近年來加密貨幣市場的持續(xù)增長，以及具有代表性的比特幣價(jià)格突破10萬美元，市場對(duì)于虛擬貨幣礦機(jī)的需求也是非常的旺盛。根據(jù)分析師的預(yù)測，到 2028 年，礦機(jī)行業(yè)的價(jià)值將達(dá)到 120 億美元。

發(fā)表于：6/20/2025

英特爾董事稱蝕刻技術(shù)將取代光刻成芯片制造核心

6月20日消息，據(jù)媒體報(bào)道，英特爾一位董事提出，未來晶體管設(shè)計(jì)（如GAAFET和CFET）可能降低芯片制造對(duì)先進(jìn)光刻設(shè)備（尤其是EUV光刻機(jī)）的依賴。這一觀點(diǎn)挑戰(zhàn)了當(dāng)前先進(jìn)芯片制造的核心范式。目前，ASML的極紫外（EUV）光刻機(jī)是制造高端芯片（如7nm及以下節(jié)點(diǎn)）的關(guān)鍵設(shè)備，它負(fù)責(zé)將極其微小的電路設(shè)計(jì)“打印”到硅晶圓上。然而，該董事認(rèn)為，像環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管（GAAFET）和互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管（CFET）這樣的新型設(shè)計(jì)，將顯著增加光刻之后制造步驟（特別是刻蝕技術(shù)）的重要性，從而削弱光刻在整體工藝中的主導(dǎo)地位。芯片制造流程始于光刻——將設(shè)計(jì)圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面。隨后通過沉積添加材料，并通過刻蝕選擇性地去除材料，最終形成晶體管和電路結(jié)構(gòu)。

發(fā)表于：6/20/2025

臺(tái)積電前高管蔣尚義：遺憾在位時(shí)沒能打敗英特爾！

6月19日消息，近日，鴻海董事、前臺(tái)積電首席運(yùn)營官蔣尚義，在一場高峰對(duì)話中分享了他對(duì)臺(tái)積電發(fā)展的回顧與展望。他表示自己在產(chǎn)業(yè)工作50年，最遺憾的是沒有打敗英特爾，不過他從臺(tái)積電退休后，臺(tái)積電很快就做到了，他幽默地說，“早知道就晚兩年退休了”。蔣尚義回憶稱，臺(tái)積電在2000年前并不出名，技術(shù)甚至落后同業(yè)2.5代，自1997年起他在臺(tái)積電負(fù)責(zé)研發(fā)，臺(tái)積電逐漸崛起，成為全球知名的半導(dǎo)體代工巨頭。

發(fā)表于：6/20/2025

電路板打樣完整指南：從零開始輕松搞懂PCB生產(chǎn)全流程

在現(xiàn)代電子產(chǎn)品高速迭代的浪潮中，電路板打樣是連接設(shè)計(jì)理念與實(shí)體硬件的關(guān)鍵橋梁。對(duì)于每一位電子工程師和采購負(fù)責(zé)人而言，深入理解其背后的生產(chǎn)流程，不僅是確保產(chǎn)品質(zhì)量的基礎(chǔ)，更是優(yōu)化設(shè)計(jì)、控制成本與縮短研發(fā)周期的核心能力。

發(fā)表于：6/20/2025

臺(tái)積電“全球擴(kuò)產(chǎn)”也與臺(tái)灣“缺電”有關(guān)

據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，晶圓代工龍頭大廠臺(tái)積電近年來持續(xù)在美日德擴(kuò)產(chǎn)，雖然一方面是為了各地政府及客戶對(duì)于半導(dǎo)體本地化制造的需求，但另一方面也也與中國臺(tái)灣島內(nèi)“缺電”有關(guān)。

發(fā)表于：6/20/2025

德州儀器宣布投資超600億美元在美國新設(shè)和擴(kuò)大7座晶圓廠產(chǎn)能

發(fā)表于：6/19/2025

年底將大規(guī)模量產(chǎn) Intel 18A更多技術(shù)細(xì)節(jié)曝光

今年4月29日，在2025英特爾代工大會(huì)（Intel Foundry Direct Connect）上，英特爾正式公布了其最新一代的Intel 18A制程的相關(guān)信息，而2025 VLSI超大規(guī)模集成電路研討會(huì)最新披露的資料，進(jìn)一步展示了關(guān)于Intel 18A 的更多技術(shù)細(xì)節(jié)。 Intel 18A采用了RibbonFET 環(huán)繞柵極晶體管(GAA) 技術(shù)，相比此前的 FinFET 技術(shù)實(shí)現(xiàn)重大飛躍，不僅改進(jìn)了柵極靜電，單位封裝的寬度更高，單位封裝的寄生電容也更小，靈活性也更高。

發(fā)表于：6/19/2025

臺(tái)系半導(dǎo)體廠商發(fā)力面板級(jí)封裝

6月18日消息，扇出型面板級(jí)封裝（FOPLP）被譽(yù)為下一代先進(jìn)封裝的重要方向，除了英特爾、三星等海外晶圓大廠，中國臺(tái)灣島內(nèi)的晶圓代工大廠臺(tái)積電、半導(dǎo)體封測大廠日月光、內(nèi)存封測龍頭力成等都在積極布局，希望爭奪英偉達(dá)、AMD等大廠的HPC/AI芯片的先進(jìn)封裝商機(jī)。

發(fā)表于：6/18/2025

消息稱英特爾下月全球裁員超萬人

6 月 18 日消息，科技媒體 oregonlive 昨日（6 月 17 日）發(fā)布博文，報(bào)道稱英特爾公司計(jì)劃在全球范圍內(nèi)裁減最高 20% 的工廠員工，這一舉措將對(duì)其核心制造業(yè)務(wù)造成深遠(yuǎn)影響。英特爾制造業(yè)務(wù)副總裁納加?錢德拉塞卡蘭（Naga Chandrasekaran）表示，裁員的目的，是應(yīng)對(duì)成本挑戰(zhàn)和當(dāng)前財(cái)務(wù)狀況，預(yù)計(jì)削減比例為 15%-20%，主要在 7 月實(shí)施。

發(fā)表于：6/18/2025

臺(tái)積電美國廠完成首批4nm晶圓生產(chǎn)并送往臺(tái)灣進(jìn)行封裝

6月17日消息，據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，臺(tái)積電位于美國亞利桑那州的晶圓廠已經(jīng)完成了為蘋果、英偉達(dá)（NVIDIA）和AMD制造的第一批芯片，數(shù)量達(dá)到了2萬片晶圓，目前這些芯片已經(jīng)送往中國臺(tái)灣進(jìn)行封裝。據(jù)了解，這批在臺(tái)積電亞利桑那州晶圓廠生產(chǎn)的4nm制程晶圓，其中包括了英偉達(dá)Blackwell AI GPU、蘋果公司面向iPhone的A系列處理器和AMD第五代EPYC數(shù)據(jù)中心處理器。由于臺(tái)積電目前在美國沒有封裝廠，因此這些晶圓還需要發(fā)送到中國臺(tái)灣的臺(tái)積電的先進(jìn)封裝廠利用 CoWoS 技術(shù)進(jìn)行先進(jìn)封裝。

發(fā)表于：6/18/2025

免費(fèi)PCB打樣平臺(tái)有哪些

在硬件開發(fā)的浪潮中，PCB（印刷電路板）作為電子設(shè)備的核心組件，其設(shè)計(jì)與制造環(huán)節(jié)至關(guān)重要。為了降低開發(fā)成本、加速產(chǎn)品迭代，越來越多的PCB制造商開始提供免費(fèi)打樣服務(wù)。這一趨勢不僅為電子工程師和中小企業(yè)提供了極大的便利，也推動(dòng)了整個(gè)電子制造業(yè)的創(chuàng)新與發(fā)展。本文將深入探討免費(fèi)PCB打樣的起源、目的以及當(dāng)前提供免費(fèi)打樣服務(wù)的廠家。

發(fā)表于：6/18/2025

外交部回應(yīng)中國臺(tái)灣將華為和中芯國際列入“黑名單”

6月17日，外交部發(fā)言人郭嘉昆主持例行記者會(huì)。有記者提問，有報(bào)道稱，臺(tái)灣當(dāng)局迫于美國的壓力，已將華為和中芯國際（SMIC）列入臺(tái)灣版的實(shí)體名單。中方對(duì)此有何回應(yīng)？郭嘉昆表示，中方一貫反對(duì)美方將科技和經(jīng)貿(mào)問題政治化，泛化國家安全概念，濫用出口管制和長臂管轄，對(duì)中國進(jìn)行惡意封鎖打壓，民進(jìn)黨當(dāng)局“跪美媚美”，只會(huì)害臺(tái)毀臺(tái)。

發(fā)表于：6/18/2025

華為四芯片封裝技術(shù)新專利曝光

6月16日消息，據(jù)Tomshardware報(bào)道，華為近期已申請(qǐng)一項(xiàng)“四芯片”（quad-chiplet）封裝設(shè)計(jì)專利，可能用于下一代AI芯片昇騰910D。

發(fā)表于：6/17/2025

臺(tái)積電2nm制程良率已突破60%

臺(tái)積電正加快步伐向2nm芯片時(shí)代邁進(jìn)。根據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》最新報(bào)道，這家全球半導(dǎo)體巨頭的2nm制程良率已突破60%，不僅已達(dá)到穩(wěn)定量產(chǎn)門檻，更顯著領(lǐng)先競爭對(duì)手三星的40%良率水平，顯示其在先進(jìn)制程上的主導(dǎo)地位仍將持續(xù)。

發(fā)表于：6/17/2025

SK海力士暫緩1c DRAM內(nèi)存量產(chǎn)設(shè)備采購

6 月 16 日消息，韓國媒體 the bell 當(dāng)?shù)貢r(shí)間本月 12 日?qǐng)?bào)道稱，在 HBM 市場處于領(lǐng)先地位的 SK 海力士調(diào)整了下代 1c nm（第 6 代 10nm 級(jí)）DRAM 內(nèi)存量產(chǎn)線的設(shè)備采購節(jié)奏，暫緩新技術(shù)應(yīng)用。

發(fā)表于：6/17/2025