6月11日消息，據外媒tweaktown報道，英偉達（NVIDIA ）委托托三星、SK 海力士和美光等DRAM大廠開發SoCEM 內存模塊，但出乎意料的是，美光竟是第一家獲得量產批準的公司。
據介紹，SoCEM 是由英偉達構思的一種內存模塊，由16個堆疊的LPDDR5X 芯片組成，每4個一組。雖然HBM 是AI GPU 的DRAM，但SoCEM 是一種連接到中央處理器（CPU）的DRAM。盡管SoCEM 連接到掌控整個系統的CPU，但其主要作用是輔助支持，確保AI 加速器達到峰值性能，而SoCEM 預期將納入英偉達明年發表的下一代AI 加速器Rubin GPU中。
與HBM 通過垂直硅通孔（TSV）的方式連接DRAM 不同，SoCEM 采用“打線接合”（wire bonding）的方式制造，以銅線連接16顆芯片。由于銅的熱傳導性高，能將每顆DRAM 芯片的發熱量降至最低。美光曾宣稱其最新低功耗DRAM 的電源效率比競爭對手高20%。
英偉達的下一代AI 服務器預計將配備四個SoCEM 模塊。以LPDDR5X 芯片數量計算，相當于256顆芯片。業界認為，美光較晚采用極紫外光（EUV）曝光設備，反而成為了能早于三星與SK 海力士供貨的原因。這意味著，美光不像競爭對手輕易以EUV 提升DRAM 性能，而是通過設計結構的創新，在提升內存性能的同時，確保更低的熱量產生。
業界正關注SoCEM 技術的擴展性，而且極可能應用于英偉達目前正開發的個人超級電腦“Digits”。若Digits獲得廣泛采用，那么也有望推動SoCEM 需求將會大幅成長。
值得一提的是，有傳聞顯示，在今年三星的Galaxy S25 系列旗艦智能手機當中中，美光供應大部分初期的低功耗DRAM，超越三星自家半導體產品，也是美光首次成為三星智能手機的主要內存供應商。此外，美光早在2022年就率先開發出全球首款LPDDR5X，并將其導入iPhone 15 系列。
業界預期，美光將通過其低功耗、低熱量產生的技術，進一步擴大其HBM 市占率，因為堆疊的DRAM 芯片數持續增加，而堆疊本身就會帶來熱的問題。目前三大內存廠商預計下半年開始量產12層堆疊HBM4、明年上半年推出16層堆疊HBM4。
一位設備廠業者透露，雖然美光進入HBM 市場較晚，但憑借其散熱管理技術，以及作為美國企業的地緣優勢，隨時都可能迎頭趕上。該公司目前在新加坡、日本廣島、美國紐約，以及中國臺灣臺中建設HBM 廠，使得公司今年資本支出高達140億美元，這也令業界猜測是否已經從主要客戶取得穩定訂單。
