近日，ASML交付了第三代極紫外 (EUV) 光刻工具Twinscan NXE:3800E，其投影鏡頭的數(shù)值孔徑為 0.33。與現(xiàn)有的 Twinscan NXE:3600D 機(jī)器相比，該系統(tǒng)顯著提高了性能。它專為制造采用前沿技術(shù)的芯片而設(shè)計，包括未來幾年的 3nm、2nm 和小節(jié)點。

ASML Twinscan NXE:3800E代表了低數(shù)值孔徑 EUV光刻技術(shù)在性能（每小時處理的晶圓數(shù)量）和匹配的加工覆蓋方面的飛躍。新系統(tǒng)每小時可在 30 mJ/cm^2 劑量下處理超過 195 個晶圓，并有望通過吞吐量升級將性能進(jìn)一步提高至 220 wph。此外，新工具還提供小于 1.1 nm 的匹配機(jī)器覆蓋（晶圓對準(zhǔn)精度）。

ASML 在 X 上發(fā)布的一份聲明中透露：“芯片制造商需要速度。第一臺 Twinscan NXE:3800E 現(xiàn)已安裝在一家芯片工廠中。憑借其新的晶圓臺，該系統(tǒng)將為打印先進(jìn)芯片技術(shù)提供領(lǐng)先的生產(chǎn)力?！蔽覀冋趯⒐饪碳夹g(shù)推向新的極限?！?/p>

在為邏輯制造商生產(chǎn)采用4nm/5nm和 3nm 級工藝技術(shù)的芯片時，吞吐量的增加將提高 Twinscan NXE:3800E 機(jī)器的經(jīng)濟(jì)效益。ASML Twinscan NXE:3800E 的性能改進(jìn)預(yù)計將顯著緩解EUV 技術(shù)的主要缺點之一，即性能相對較低，從而實現(xiàn)更高效、更具成本效益的芯片生產(chǎn)。這將使依賴 EUV 的工藝技術(shù)更容易被預(yù)算不像蘋果、AMD、英特爾、英偉達(dá)和高通那樣龐大的芯片設(shè)計者所接受。此外，該工具對于美光、三星和 SK 海力士等內(nèi)存制造商也至關(guān)重要。

此外，Twinscan NXE:3800E 的增強性能對于采用 2nm 以及需要 EUV 雙圖案化的后續(xù)制造技術(shù)制造芯片特別有用。匹配機(jī)器覆蓋層的改進(jìn)將有利于 3nm 以下生產(chǎn)節(jié)點。

然而，像 NXE:3800E 這樣的機(jī)器的復(fù)雜性和功能的代價是高昂的成本，每臺的價格約為 1.8 億美元。如此高的成本意味著這些光刻工具的成本需要一段時間才能折舊。然而，對于 ASML 的客戶（包括一組精選的重要邏輯和內(nèi)存制造公司）來說，NXE:3800E 提供了一條增強其尖端芯片生產(chǎn)能力的途徑。這對于這些公司來說至關(guān)重要，因為他們努力滿足全球?qū)Π雽?dǎo)體不斷增長的需求，擴(kuò)大生產(chǎn)能力并管理芯片制造的經(jīng)濟(jì)性。引入 NXE:3800E 等更先進(jìn)、更高效的 EUV 掃描儀對于實現(xiàn)這些目標(biāo)至關(guān)重要。

展望未來，ASML并沒有滿足于現(xiàn)狀，計劃以Twinscan NXE:4000F 的形式進(jìn)行進(jìn)一步創(chuàng)新，這是另一代低數(shù)值孔徑 EUV 掃描儀，預(yù)計于 2026 年左右發(fā)布。這一持續(xù)開發(fā)強調(diào)了 ASML 致力于推進(jìn)低數(shù)值孔徑的承諾-NA EUV 制造技術(shù)，盡管即將采用高數(shù)值孔徑光刻工具。