長江存儲已于11月9日起訴美光科技有限公司（下稱“美光”）及全資子公司美光消費產品集團有限責任公司侵犯其8項美國專利。長江存儲在專利侵權起訴書中稱，訴訟是為了終止美光廣泛且未經授權使用長江存儲專利創新。

　　長江存儲是國內最大的3D NAND Flash（閃存芯片制造）廠商。長江存儲在起訴書中提到，美光使用長江存儲的專利技術，以抵御來自長江存儲的競爭，并獲得和保護市場份額。訴訟旨在解決以下問題的一個方面：美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash（閃存）市場來阻止競爭和創新。

　　據悉，本次涉案的長江存儲的美國專利包括：US10,950,623（3D NAND存儲器件及其形成方法）、US11,501,822（非易失性存儲裝置及控制方法）、US10,658,378（三維存儲器件的直通陣列接觸 (TAC)）、US10,937,806 （三維存儲器件的直通陣列接觸 (TAC)）、US10,861,872（三維存儲器件及其形成方法） 、US11,468,957（NAND存儲器操作的體系結構和方法）、US11,600,342（三維閃存的讀取方法）、US10,868,031（多層堆疊三維存儲器件及其制造方法）。

　　長江存儲在以上起訴書中稱，長江存儲不再是新秀（upstart），而已成為全球3D NAND市場的重要參與者。長江存儲表示，去年11月，分析和跟蹤閃存市場的TechInsights公司得出結論：長江存儲是3D NAND閃存領域的領導者，超過了美光。

　　長江存儲表示，目前其已經是全球3D NAND市場的領導者。2022年11月，半導體研究機構TechInsights在一項分析后得出的結論：“長江存儲所取得的成就令人驚嘆，現在是3D NAND 閃存領域的領導者”，“一舉超越了美光”。

　　2018年，長江存儲量產第一代32層3D NAND Flash芯片，2019年量產64層256Gb TLC 3D NAND閃存，2020年跳過96層研發兩款128層閃存產品。

　　特別值得一提的是，近年來，隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高，外圍CMOS電路所占據的芯片面積或將達到50%以上。為了解決這一問題，長江存儲在2018年推出了自研的創新的Xtacking技術。

　　Xtacking是通過將兩塊獨立的晶圓分別制造NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路，然后將CMOS邏輯電路堆疊在NAND陣列之上，二者之間的垂直連接則需要相應的鍵合技術來實現，形成間距為10μm 及以下的互連，且不會影響 I/O 性能。另外，由于兩種類型的芯片可以在不同的生產線上制造，因此可以使用各自優化的工藝節點分別生產，不僅可以縮短生產周期，還可以降低制造復雜度和成本。此外，該技術也使得每平方毫米的存儲密度、性能和可擴展性可以進一步提高。目前長江存儲的Xtacking技術已經進展到了3.0版本。

　　2022年10月，美國商務部工業和安全局發布出口管制新規，限制對中國出口芯片制造設備等，將長江存儲NAND Flash芯片層數卡在已量產的最新工藝上。當年12月，美國又將長江存儲納入出口管制“實體清單”。

　　長江存儲作為國內最大的3D NAND制造廠商，自去年以來受到美方的打壓，無法獲取先進的美日荷設備，產能擴張受到了限制。此次，長江存儲通過對美國存儲芯片大廠美光發起專利訴訟，維護自身權益，不僅反應了自身技術的領先性，也體現了國內受制企業敢于“亮劍”的精神。