目前，全球進及10nm及以下的芯片廠商就三家，分別是臺積電、三星、intel。

其中臺積電、三星以晶圓代工為主，而intel是IDM廠商，之前主要為自己造芯。不過去年intel換了CEO后，提出了一個IDM2．0計劃，那就是也對外代工，與三星、intel爭市場。

不過從現在的情況來看，intel的這個IDM2．0計劃，那是雷聲大，雨點小，看起來就像是“紙老虎”。

intel的雷聲有多大？英特爾目前僅能生產7nm芯片，并且這個產能還很小，但表示要3年搞出4代工藝革新。

intel到2023年要實現intel3工藝，相當于臺積電的3nm，到2024年要實現intel20A工藝，相當于臺積電、三星的2nm，這是直接就超過臺積電、三星了。

而到2024年，intel還要搞定intel18A工藝，也就是18埃米，1．8nm，比三星、臺積電還要領先了。

除了工藝制程外，從Intel 3nm開始，intel還要采用全新的RibbonFET晶體管取代當前的FiFET，引入革命性的PowerVias背面供電技術。

而這個所謂的RibbonFET其實是對GAAFET（環繞柵極）晶體管的改進，后者已被三星3nm首發，intel意思是，我在3nm時，技術比三星的這個還要更牛。

口號是這樣喊出去了，但是，目前intel的代工業務，表現卻不那么給力，進展也不那么順利，intel4都不知道什么時候能夠實現。

至于明年搞定intel3工藝，業內基本上沒什么人看好，要知道英特爾當年的14nm工藝都打磨了5年，才進入10nm，而7nm一再跳票，也折騰了兩年。

現在說3年要搞出4代工藝革新，率先進入2nm、1．8nm，很多人認為不可能，甚至有人認為在代工領域，intel就是個“紙老虎”，不可能與臺積電、三星等去PK。

不過也有人說了，intel之前工藝進展慢，是因為intel工藝不造假，一切按照摩爾定律來，晶體管密度，遠比臺積電、三星更高。如果intel也學臺積電、三星一樣，開始工藝摻水，那還是很容易搞定的，不就是虛標數字嘛。

那么問題來了，intel在2024年能實現20A、18A工藝么？估計臺積電、三星也都在等這個答案。

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