本周舉辦的2020年北京微電子國際研討會暨IC WORLD學術會議上，長江存儲首席執行官楊士寧在上臺講話時提到，長江存儲的64層閃存已經打入華為Mate40供應鏈，還借用“出道即巔峰”這樣一句話來表述。

這不僅僅意味著華為Mate 40國產替代的新進程，更預示著這將打破以往國產手機過度依賴三星、鎧俠、西數、美光等國外公司產品的局面。

根據楊士寧的講話，OFweek維科網注意到以下幾個關鍵信息：

1、長江存儲的推進速度，幾乎是在3年里走完了別人6年的路，發展速度較快，要慢下來；

據OFweek維科網了解，在去年9月，長江存儲成為國內第一個宣布量產64層堆棧3D閃存的半導體廠商，這一消息無疑給國內存儲產業打下了一針“強心劑”。其最大亮點在于，采用了長江存儲自研Xtacking架構，Xstacking架構擁有獨立的加工模式，使產品開發時間縮短了3個月，生產周期縮短了20％，也在很大程度上提高了產品性能。

2、128層不做最后一名，下代產品爭做行業第一第二；

今年年初，長江存儲表示將跳過目前存儲行業常見的96層堆疊閃存技術，并直接投入128層閃存的研發和量產工作。在今年舉辦的中國電子信息博覽會上，長江存儲展示了128層QLC閃存產品，它是業內首款128層QLC規格3D NAND，且擁有已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I／O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。

實際上，2020年全球存儲廠商已經基本上集體跨過了“百層關卡”，比如三星、美光、SK海力士均推出了128層3D NAND閃存芯片，西數、鎧俠則推出了堆棧112層，不過其存儲密度更高……

總而言之，在追趕世界上存儲大廠第一梯隊的進程上，長江存儲的腳步已經漸漸拉進與前排的距離，基于Xtacking架構的2．0版本，會重點拓展產品性能以及功能，也是長江存儲直接上128層堆疊的重要保障。

3、64層3D NAND閃存晶圓進入華為Mate40旗艦產品供應鏈；

楊士寧提到，雖然64層3DNAND只是長江存儲的第一個產品，但是這顆產品已經做到了 Mate40 的旗艦機里面，在這里面看到了國內半導體產業鏈彼此協同合作和未來長遠的發展機會。眾所周知，華為由于受到某些原因，在手機芯片等半導體元器件的選擇上無法與國外廠商達成合作，為此不得不把目光轉向國產供應鏈。而華為旗下Mate系列作為旗艦手機的代表作，在對合作伙伴的選擇上也更加慎重。

打入華為Mate40旗艦產品供應鏈意味著國產存儲產業越來越受國內手機廠商重視，未來完全可以取代國外品牌，打破國外壟斷局面。

4、采用異構集成技術，即使拿不到EUV光刻機也能做出類似7nm芯片；

其中，楊士寧提到了一段整個國內半導體產業都很關注的話題，眾所周知，目前國內半導體制造業最大的問題是缺少先進設備和技術，尤以光刻機最為重要。大陸方面半導體工藝遲遲停留在14nm難以前進，由于荷蘭ASML的EUV光刻機難以入華，因此國內像中芯國際這樣的巨頭也想方設法推出新技術來實現等效7nm工藝芯片的研發。其中，異構集成（Heterogeneous Integration，HI）被認為是增強功能及降低成本的可行方法，是延續摩爾定律的新路徑。

所謂的“異構集成技術”是指將多個單獨制造的部件封裝到一個芯片上，以增強功能性和提高工作性能，可以對采用不同工藝、不同功能、不同制造商制造的組件進行封裝。通過這一技術，工程師可以像搭積木一樣，在芯片庫里將不同工藝的小芯片組裝在一起。但是異構集成并不簡單，要讓集成的芯片和單片芯片具有一樣的性能、功能，還要解決可靠性、散熱、封測等多方面的問題。