上周在國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，半導(dǎo)體設(shè)備巨頭ASML展出了可用于7納米以上先進(jìn)制程的深紫外曝光機(jī)DUV。

有報(bào)道指出，雖然目前極紫外曝光機(jī)，俗稱(chēng)EUV光刻機(jī)仍受到美國(guó)的技術(shù)封鎖而無(wú)法出口，但ASML保證DUV就完全沒(méi)有問(wèn)題，尤其是浸潤(rùn)式DUV，并不需要向美國(guó)申請(qǐng)出口許可。而在經(jīng)過(guò)多重曝光后，浸潤(rùn)式DUV也能達(dá)到7納米制程的門(mén)檻，甚至更進(jìn)一步。

這令中芯等業(yè)者似乎有了解套，且ASML在會(huì)場(chǎng)上更提供了完整的解決方案，擁有先進(jìn)控制能力的機(jī)臺(tái)將能通過(guò)建模、仿真、分析等技術(shù)，讓邊緣定位精度不斷提高，深受市場(chǎng)矚目。ASML全球副總裁暨中國(guó)區(qū)總裁沈波在受訪時(shí)表示，公司對(duì)向中國(guó)出口光刻機(jī)持相當(dāng)開(kāi)放的態(tài)度，在法律法規(guī)的框架下，都會(huì)全力支持。

ASML目前已在中國(guó)建立了培訓(xùn)中心，培養(yǎng)相關(guān)人才,在深圳和北京也有兩家技術(shù)開(kāi)發(fā)中心，專(zhuān)門(mén)做技術(shù)開(kāi)發(fā)，已提供近700多臺(tái)各式產(chǎn)品。此次若真能提供適用于7納米制程以上的DUV可謂是相當(dāng)大的突破。因?yàn)槔碚撋希珼UV通常只能用到25納米。

英特爾雖然透過(guò)特別的技術(shù)使其用在10納米制程，但這幾乎已是極限。DUV的深紫外光波長(zhǎng)近193納米，雖然透過(guò)液體浸潤(rùn)多重曝光后，的確能夠縮小線距，但要與EUV的13.5納米波長(zhǎng)等效，成本及良率恐怕都會(huì)很難看，這也是當(dāng)初為何臺(tái)積電毅然選擇投入設(shè)備非常昂貴的EUV技術(shù)。