就像人腦中有專門負責記憶功能的記憶區(qū)，智能設(shè)備也都必須要有具備“記憶功能”的存儲器。
所以理所當然的，存儲器成為半導體產(chǎn)業(yè)的重要分支。全球半導體協(xié)會數(shù)據(jù)顯示，存儲芯片產(chǎn)業(yè) 2019 年全球銷售額約1200億美元，約占全球半導體市場營收4121億美元的30％。
但是過去中國在核心技術(shù)上長期受制于人，存儲器這個領(lǐng)域，中國市場對美日韓企業(yè)的依賴尤其嚴重。
存儲器市場被瓜分殆盡
中國是全球最大的半導體市場，同樣也是最大的存儲器市場。中國半導體行業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù)顯示，2019 年半導體存儲器國內(nèi)市場規(guī)模為 415．8 億美元，占據(jù)近 35％的全球銷售額。也就是說，我國的存儲器市場規(guī)模在全球占比超過1／3。
然而，在龐大的市場規(guī)模下，芯片嚴重依賴進口，仍然是國內(nèi)存儲器產(chǎn)業(yè)多來年的真實處境。
長期以來，我國都不具備存儲芯片自產(chǎn)能力。國內(nèi)相關(guān)市場被美光、西部數(shù)據(jù)、鎧俠（東芝）、三星、 SK 海力士這些美日韓企業(yè)完全把持。
這就導致了很嚴重的兩個后果：其一，中國智能終端市場的大額利潤被國際巨頭攝取，很多終端廠商做硬件都不賺錢；其二，一旦發(fā)生貿(mào)易摩擦，國內(nèi)存儲芯片被長期斷供，幾乎所有國產(chǎn)終端設(shè)備廠商都將面臨滅頂之災。
舉一個大家熟悉的例子，同款智能手機的低配或者高配，由RAM（隨機存取存儲器）和ROM（只讀存儲器）是4GB＋64GB還是8GB＋512GB的不同組合決定，差價會有數(shù)千元。但是因為國內(nèi)企業(yè)并不具備存儲芯片自產(chǎn)能力，所以只能任憑中間的利潤大頭被美光、三星這些國際存儲器巨頭拿走。
而一旦美光、鎧俠（東芝）、三星這些國際巨頭決定對華為或者其他國產(chǎn)廠商斷供存儲器芯片。長期斷供之后，因為在國內(nèi)找不到替代方案，國產(chǎn)廠商一臺手機都生產(chǎn)不出來，這就是實實在在的“卡脖子”威脅。
近幾年，國際貿(mào)易市場的不確定性不斷提高，國內(nèi)存儲器市場對全球巨頭的依賴，成為了中國IT產(chǎn)業(yè)發(fā)展的致命軟肋。
因此，必須盡快扭轉(zhuǎn)存儲器市場受制于人的現(xiàn)狀。
長江存儲逆勢突圍
在現(xiàn)狀與困境之下，背負著打破國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展困局使命的國內(nèi)三大存儲企業(yè)（武漢長江存儲、合肥長鑫、福建晉華）相繼發(fā)力。其中，NAND閃存作為存儲芯片的重要產(chǎn)品之一，是長江存儲要重點攻克的領(lǐng)域所在。
相關(guān)項目從2014年10月開始啟動，到2016年7月長江存儲有限責任公司成立，其32層3D NAND閃存測試芯片設(shè)計已經(jīng)完成。到2017年11月，32層3D NAND閃存實現(xiàn)首次流片，并于2018年第三季度實現(xiàn)量產(chǎn)。
這個進度比起全球最大存儲器巨頭三星晚了4年多，所以在市場中并沒有引起太大的反響。但這只是長江存儲發(fā)力沖擊市場格局的蓄力期，在此之后長江存儲不斷加速。
2018年8月，搭載長江存儲自研Xtacking技術(shù)架構(gòu)的64層3D NAND閃存實現(xiàn)流片，2019年9月實現(xiàn)量產(chǎn)，把和三星的差距縮短到了2年內(nèi)。
得益于 Xtacking架構(gòu)對3D NAND控制電路和存儲單元的優(yōu)化，長江存儲64 層 TLC 產(chǎn)品在存儲密度、I／O 性能及可靠性上廣受好評，真正意義上走通了一條高端存儲芯片設(shè)計制造的創(chuàng)新之路。
到2020年4月，長江存儲官宣128層3D NAND閃存研發(fā)成功并在多家客戶通過驗證，直接從64層跨過主流的72／96層直接進入128層。預計將于2020年年底至2021年年初實現(xiàn)量產(chǎn)。和三星的差距，也縮短到了1年內(nèi)。
（NAND廠商技術(shù)發(fā)展趨勢，圖片來自于天風證券）
這意味著，今年底到明年初，在市場中我們就可以見到搭載國產(chǎn)128層3D NAND閃存芯片的產(chǎn)品，并且相關(guān)產(chǎn)品的表現(xiàn)將會不遜于三星、美光這些國際大廠的同類產(chǎn)品。
短短6年時間，在千百工作人員夜以繼日的奮力拼搏下，長江存儲不負重任，終于完成對國內(nèi)空白的填補，并有望打破三星、美光這些國際巨頭對中國市場的壟斷。
產(chǎn)業(yè)生態(tài)互惠共贏
立項以來短短6年時間，長江存儲不斷取得突破，成功打破了國內(nèi)3D NAND閃存芯片“零自主”的困局。
然而長江存儲取得如此成就并不是靠單打獨斗，它取得的成功，也不只是一家存儲器芯片IDM廠商的成功。
為了實現(xiàn)存儲器芯片的生產(chǎn)，長江存儲需要搭建自己的生產(chǎn)線和工廠。需要用到硅片、化學液體、特種氣體等半導體材料；PVD、刻蝕、熱處理設(shè)備、介質(zhì)刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備等半導體設(shè)備。
長江存儲盡量選擇和國產(chǎn)半導體材料廠商、設(shè)備廠商合作，給晶瑞股份、華特氣體、北方華創(chuàng)、中微公司這些上游國產(chǎn)廠商帶來大量的訂單。
為了進行客戶驗證，長江存儲需要和群聯(lián)、威剛、慧榮這些下游渠道商建立緊密的合作關(guān)系。同時他們也可以幫助長江存儲更快、更好地適應市場。
所以長江存儲不斷取得成功，也帶動了國內(nèi)存儲器產(chǎn)業(yè)上下游實現(xiàn)生態(tài)共贏，讓中國有望全面擺脫存儲器這個半導體產(chǎn)業(yè)核心領(lǐng)域被“卡脖子”的威脅。這對中國整個半導體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)健康發(fā)展，都會產(chǎn)生巨大的推動作用。
反守為攻的曙光
年初疫情爆發(fā)以來，全球在線教育、在線辦公、在線娛樂、電子商務(wù)需求陡增。客觀來看，這其實大大加速了全球數(shù)字化社會建設(shè)的進程。
與之相伴的是，全球云計算、服務(wù)器市場的高速增長。在中國，這種趨勢更加明顯。同時在新基建加速落實的熱潮中，5G、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)加速落地，中國存儲器市場需求強勁增長。
這時長江存儲帶領(lǐng)國內(nèi)存儲器產(chǎn)業(yè)取得重大突破，實現(xiàn)128層3D NAND閃存芯片成功自研，可謂是恰逢其會。
只要長江存儲實現(xiàn)128層3D NAND閃存芯片量產(chǎn)之后，芯片的可靠性、可用性能夠再次讓國內(nèi)市場滿意。那么以中國市場的巨大規(guī)模所能提供的強勁助力，可以讓長江存儲在短短幾年內(nèi)就躋身于國際巨頭行列，參與國際競爭。
到那時，長江存儲就會踏出中國核心技術(shù)反守為攻的第一步。