2018年11月12日，英飛凌以1．24億歐元收購了位于德累斯頓的SiC初創公司——Siltectra GmbH。

Siltectra之前已開發了一種創新技術（cold split），可有效處理晶體材料，同時將材料損失降至最低。而英飛凌與其主要股東風險資本投資者MIG Fonds達成了1．24億歐元的購買價格，將采用冷裂技術分割碳化硅（SiC）晶圓，從而使單個晶圓的芯片數量翻倍。

英飛凌首席執行官Reinhard Ploss博士表示，“我們對薄晶圓技術的系統理解和具備的專業知識與冷裂技術和Siltectra的創新能力相輔相成，相信此次收購定將幫助我們利用新材料碳化硅來豐富我們優秀的系列產品。”

Reinhard Ploss博士還補充道“由于采用冷裂技術，將會幫助我們生產出更多的SiC晶圓。尤其是在可再生能源方面進一步擴展以及用于電動汽車傳動系統中SiC器件逐漸適用的大環境下，我們的SiC產品提升會更加容易。”

Siltectra首席技術官Jan Richter博士評論說：“我們很高興成為全球功率半導體市場領導者團隊的一員。這表明Cold Split技術在原則上是可用于英飛凌，我們目前也正在努力將其實現批量生產。”

與普通的切割技術相比，Siltectra公司開發出的這種分解結晶材料的技術，可以使材料損耗在很大程度上得到降低。該技術可以應用于半導體材料SiC，預計在未來幾年中需求迅速增長。

目前，SiC產品已經在太陽能逆變器中具有很高的應用效率。未來，SiC在電動汽車中也將發揮越來越重要的作用。Cold Split技術將在德累斯頓現有的Siltectra工廠和奧地利菲拉赫的英飛凌工廠實現工業化。預計將在未來五年內實現批量生產。

從長遠來看，Cold Split技術將有助于確保SiC產品的供應。同時隨著時間的推移，這種技術將會進一步得到應用，例如用于晶錠劈裂或用于碳化硅以外的材料。