紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）報(bào)捷，已自主開發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利，預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn)，震撼業(yè)界。

　　近期3Ｄ NAND芯片價(jià)格走弱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)挾紫光集團(tuán)資源，投入主流NAND芯片量產(chǎn)，為市場(chǎng)投下震撼彈，對(duì)群聯(lián)、威剛等NAND概念股影響值得觀察。

　　另一方面，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在先進(jìn)NAND技術(shù)報(bào)捷，也將牽動(dòng)后段封測(cè)廠訂單狀況，南茂先前透過(guò)處分轉(zhuǎn)投資上海宏茂科技股權(quán)予紫光集團(tuán)，成為國(guó)內(nèi)首家與紫光集團(tuán)搭上合資聯(lián)盟的業(yè)者，長(zhǎng)江存儲(chǔ)大量產(chǎn)出后，南茂可望搶食相關(guān)封測(cè)訂單，成為此波大陸大舉擴(kuò)張NAND勢(shì)力的受惠臺(tái)廠。

　　據(jù)了解，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將于今天在國(guó)際性快閃存儲(chǔ)器指標(biāo)性盛會(huì)“快閃存儲(chǔ)器高峰會(huì)”（Flash Memory Summit）正式公布64層3D NAND 芯片專利，向全球展現(xiàn)大陸已具備自主研發(fā)快閃存儲(chǔ)器技術(shù)能力，并追上主流產(chǎn)品腳步，相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)，加入全球列強(qiáng)競(jìng)逐快速成長(zhǎng)的NAND芯片市場(chǎng)。

　　消息人士透露，紫光此次選在國(guó)際性盛會(huì)公布長(zhǎng)江存儲(chǔ)自行研發(fā)的64層3D NAND芯片專利，等于開放全球存儲(chǔ)器大廠公開檢視長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND芯片技術(shù)布建，向全球宣示大陸在發(fā)展快閃存儲(chǔ)器的腳步比前一期的32層產(chǎn)品更快，未來(lái)將會(huì)是3D NAND芯片供應(yīng)鏈的重要一員。

　　據(jù)了解，長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)楊士寧今天親自上陣，在美國(guó)Santa Clara舉行的“快閃存儲(chǔ)器高峰會(huì)”正式發(fā)表長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層 3D NAND芯片專利。目前全球僅三星、SK海力士、東芝、美光、英特爾等大廠有能力生產(chǎn)相關(guān)產(chǎn)品。

　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣稱32層3D NAND芯片良率已超過(guò)九成，不過(guò)由于產(chǎn)品市場(chǎng)接受力有限，長(zhǎng)江存儲(chǔ)只當(dāng)做練兵，月產(chǎn)能僅5,000片，預(yù)料未來(lái)進(jìn)入64層3D NAND芯片世代將加快量產(chǎn)規(guī)模，屆時(shí)對(duì)NAND市場(chǎng)沖擊加深，震撼業(yè)界。