昨日，在位于武漢東湖高新區(qū)的長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(國家存儲(chǔ)器基地)，紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京透露，中國首批擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于今年第四季度在此實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
據(jù)悉，長江存儲(chǔ)于2017年成功研發(fā)中國首顆32層三維NAND閃存芯片，并獲得中國電子信息博覽會(huì)(CITE2018)金獎(jiǎng)。
這顆芯片，耗資10億美元，由1000人團(tuán)隊(duì)歷時(shí)2年自主研發(fā)，是中國主流芯片中研發(fā)制造水平最接近世界一流的高端存儲(chǔ)芯片，實(shí)現(xiàn)了中國存儲(chǔ)芯片“零”的突破。
刁石京介紹，目前，芯片生產(chǎn)設(shè)備正在進(jìn)行安裝調(diào)試，今年第四季度，32層三維閃存芯片將在一號(hào)芯片生產(chǎn)廠房進(jìn)行量產(chǎn)。此外，64層三維閃存芯片研發(fā)也在緊鑼密鼓地進(jìn)行，計(jì)劃2019年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
刁石京表示，中國芯片技術(shù)落后于世界，但自主研發(fā)的腳步始終沒有停止，兩代芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后將縮短與美國、日本、韓國等國家在存儲(chǔ)芯片上的差距。
據(jù)悉，長江存儲(chǔ)由紫光集團(tuán)聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省科技投資集團(tuán)共同投資建設(shè)，負(fù)責(zé)國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目。
根據(jù)規(guī)劃，至2023年，基地產(chǎn)能將達(dá)到每月30萬片，并形成設(shè)計(jì)、測試、封裝、制造、應(yīng)用等上下游集群。
長江存儲(chǔ)首次公布突破性3D NAND架構(gòu)Xtacking
日前在美國舉辦的閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit）上。長江存儲(chǔ)CEO楊士寧博士將發(fā)布表主題演講并揭曉突破性技術(shù)Xtacking。官方稱，Xtacking可以將NAND傳輸速率提升至DRAM DDR4相當(dāng)?shù)乃疁?zhǔn)，同時(shí)使存儲(chǔ)密度達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平，實(shí)現(xiàn)閃存行業(yè)的劃時(shí)代躍進(jìn)。
據(jù)悉，Xtacking可用于消費(fèi)級(jí)/企業(yè)級(jí)SSD還有UFS閃存，且實(shí)現(xiàn)了NAND矩陣與外圍電路的并行加工。這種模塊化閃存開發(fā)和制造工藝將大幅縮短新一代3D NAND閃存的上市時(shí)間，并使NAND閃存產(chǎn)品定制化成為可能。
那么DDR4的傳輸速度是什么級(jí)別？
以常見的DDR4-2400單通道為例，數(shù)據(jù)速率2400Mbps，理論峰值帶寬2400MHz x 64bit/8=18.75GB/s。
還不清楚紫光所謂速度級(jí)別的具體數(shù)字，僅從紙面分析，倒是很像Intel在做的傲騰存儲(chǔ)，最終目標(biāo)是閃存、內(nèi)存二合一。