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來自中國江蘇網的消息稱，3月22日淮安市集成電路產業現場推進暨江蘇時代芯存半導體有限公司相變存儲器工廠竣工運營啟動儀式在淮安高新技術產業開發區順利舉行，此舉標志著130億元投資的相變存儲項目開始進入運營階段。這個項目去年11月份完成了廠房封頂，并完成了設備采購，從開工到封頂不到9個月時間，今年3月底開始運營。

江蘇時代芯存半導體有限公司由寧波時代全芯科技有限公司和淮安園興投資有限公司共同出資成立，正式成立于2016年10月。公司致力于開發及生產搭載最新PCM技術的存儲產品。江蘇淮安PCM生產項目總投資130億元，一期投資43億元，淮安園興投資有限公司出資16億元人民幣占股44%。寧波時代全芯科技有限公司以自有的知識產權和現金出資，占股56%，其中知識產權主要包括公司的專有技術及專利。

PCM是一種非易失存儲技術，它利用特殊材料在不同相間的電阻差異來存儲信息。相較傳統的存儲技術，相變存儲器耗電低、性能穩定、抗輻射、成本低、存儲容量遠遠大于高端硬盤、運行速度快1000倍，并且耐久性多1000倍。PCM是業界公認的第四代相變存儲器的最成熟的技術，其可微縮性特點更讓它被譽為21世紀的存儲器統一標準。

PCM未來不僅會逐漸取代現有存儲器市場的大多數，而且將會大大擴展現有的存儲器市場，尤其是目前尚處在市場嬰兒期的大數據、物聯網、可穿戴設備等等市場，前景極為可觀。 

根據之前的消息，江蘇淮安的這個項目建成后將年產10萬片12英寸PCM相變存儲芯片。相變存儲芯片被成為21世紀的存儲芯片標準，與傳統存儲芯片（比如內存）相比，它是一種非易失性存儲芯片，但是速度達到了傳統存儲芯片的1000倍，同時可靠性是后者的1000倍——當然這些指標都是理論上的.

目前量產的PCM存儲芯片并沒有這么強，Intel的3D XPoint閃存據說就是一種PCM存儲芯片，只不過一直沒有被證實，而它宣傳的特點就是性能是閃存的1000倍，可靠性也是閃存的1000倍，同時容量密度是閃存的10倍。

不過，就目前技術來看，相變存儲器跟flash相比并沒有成本和容量的優勢，并且在極小的納米尺度下能否有效工作也值得研究。同時，其利用電熱致相變的原理，也可能使高密度下功耗和溫度上升太多，有散熱不良的危險。目前各廠商及研究機構都保持技術儲備的狀態，大規模應用尚需時日。