8 月 6 日消息，3D 存儲器 IP 企業 NEO Semiconductor 公布了 X-HBM 超高帶寬內存架構概念，宣稱可實現 32000-bit 的超高位寬和 512Gb 的單層容量。
X-HBM 的兩大技術基礎是超高密度 I/O 通道和 NEO 此前提出的 X-DRAM 高容量 3D 內存。
該企業宣稱可通過 0.5μm (500nm) 間距超精細混合鍵合在 HBM 所需 DRAM Die 上創造 32000-bit 超寬 I/O，而目前即將進入商業化的 HBM4 內存也僅有 2048-bit。
而在容量方面，NEO Semiconductor 稱其現有技術可通過 300 層堆疊技術在單層 DRAM Die 上實現 300Gb 容量，這已經是當下 HBM 領域所用 24Gb Die 的 12.5 倍。而未來 X-HBM 中的單 Die 將可實現 500+ 層陣列堆疊，單 Die 容量隨之提升到 512Gb (64GB)。
NEO Semiconductor 稱按照傳統的 2D DRAM HBM 技術演進，到 2038 年的 HBM8 才能實現 16384-bit I/O 和 80Gb 單 Die 容量，而基于 3D DRAM 的 X-HBM 將顯著加速存儲發展進程，助推 AI 算力飛躍。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。