MKW Ventures的Mark Webb表示，在接下來的十年中，兩種新興的非易失性存儲器類型（相變存儲器和磁RAM）將在獨立存儲器中處于領先地位。

　　Mark Webb在最近的虛擬閃存峰會上做了一系列演講。他得出的結論是，盡管目前正在開發中的新興存儲器技術種類繁多，但英特爾的相變存儲器（稱為3D XPoint存儲器或Optane）將在2025年和2030年主導獨立的新興非易失性存儲器市場，這是部分原因是英特爾虧本出售內存業務的原因。

　　Webb將新興內存定義為PCM，MRAM，ReRAM和FeRAM以及其他。它不包括NAND，DRAM，NOR，SRAM，EEPROM等。在這些分析中，Webb并不討論開始受到關注的嵌入式/ SoC新興存儲器MRAM。

　　韋伯認為，由英特爾提供的PCM將在2025年占據獨立新興存儲器市場90％的份額，而MRAM僅次于第二，在2030年仍將如此。

　　韋伯表示，盡管英特爾虧本出售了相變內存。但韋伯在FMS演講中說，3D Xpoint的營業利潤率非常低，并估計出售Xpoint會使英特爾每季度損失3億多美元。韋伯說，盡管隨著內存生產規模的擴大，這種損失可能會減少，但這種損失將持續下去。

　　他補充說，沒關系。永久內存非常適合數據中心，可以將英特爾架構與AMD和其他競爭對手區分開來。韋伯說，內存余量并不是英特爾的目標。

　　韋伯在一篇博客文章中說：“我們預測Optane的收入將大幅增長，這僅僅是因為英特爾正在向它投資數十億美元，并正在為其發展新的總線連接。如果沒有英特爾，則將數字除以5到10。”

　　盡管韋伯的分析對于諸如ReRAM和FeRAM之類的替代存儲器的支持者似乎是黯淡的，但他提供了一些理由。他指出，在英特爾和美光共同推出PCM五年后，除對英特爾的銷售外，美光的年銷售額還不到1000萬美元。韋伯表示，在同意一項技術可行之后，要想達到高產量，需要很長時間。

　　韋伯觀察到：“如果ReRAM或FeRAM起飛，它將在四到五年內，并且不會取代其他市場。”

　　延伸閱讀：

　　MRAM/ReRAM/PCM/XPoint/FRAM誰主沉浮？

　　PCM：也稱為PRAM，相變存儲器技術基于在正常環境溫度下無定形或結晶的材料。晶態具有低電阻，非晶態具有高電阻。

　　在化學和物理學中，任何無定形的物質都被稱為液態或氣態。固態，液態和氣態也稱為“相位”。相變存儲器的名稱源于位單元在晶相和非晶相之間切換的結果。

　　自20世紀60年代開始研究以來，PCM 于2006年首次出貨。該技術通常基于硫屬化物玻璃（chalcogenide glasses），英特爾/美光聯合開發的3D XPOINT內存就是基于PCM的。PCM的最大優勢是：它可以使用簡單的2端二極管，而不是雙向器件進行選擇，因為在設置、復位或讀取位時電流的運行方向相同。

　　MRAM：磁性RAM基于巨磁阻（GMR），其自20世紀90年代初以來一直用于HDD記錄頭。當多層GMR堆疊的某些層在相同方向上被磁化時，另一層將表現為低電阻。當它們以相反方向磁化時，層的電阻會很高。這種磁化可以通過導線周圍的場（Toggle Mode MRAM）產生，也可以通過使正向或反向電流通過位單元（Spin-Tunnel Torque或STT MRAM）來實現。目前，這兩種產品都有出貨。

　　MRAM已經獲得了大量投資，這產生了許多STT MRAM變體，包括垂直STT、過程自旋扭矩、旋轉軌道扭矩（SOT）等。盡管迄今為止所有設備都使用了三端選擇器，但最近的研究表明，未來幾年可能會使用雙端選擇器。

　　ReRAM：電阻式RAM有許多名稱，ReRAM、RRAM和Memristor是最常見的。ReRAM最廣泛的定義包括使用電阻存儲元件的任何存儲器； 包括PCM和MRAM。為了將它們區分開來，這里的ReRAM是任何非PCM或MRAM的、基于電阻的存儲技術。

　　大多數ReRAM中的位設置/復位機制涉及金屬絲或氧空位的產生和消除：原子實際上在器件內移動。這自然會導致磨損，但研究人員認為這種磨損可以大大低于NAND閃存。該過程使用正向和反向電流，這有時使得三端子選擇器比雙端子選擇器更容易使用。但是，某些ReRAM可以與雙端選擇器配合使用，某些變體甚至可以在位單元內執行選擇。這使得它們在單層中使用時是經濟的，并且允許它們在多層中構造以進一步降低成本。

　　雖然大多數ReRAM使用新材料，但一些公司已經開發出可以使用已經用于大批量芯片生產的成熟材料制造。目前，某些ReRAM已經批量出貨。

　　FRAM：鐵電存儲器，FRAM或FeRAM，但它并不使用鐵，這項技術之所以這樣命名，是因為它的機制與鐵被磁化和去磁時的機制十分類似。在一個方向上的電流將使FRAM單元內的原子轉移到分子的一端，反向電流將它們轉移到另一端。

　　FRAM通常不是電阻存儲器。今天生產的FRAM使用破壞性讀取機制，其向單元施加寫入電壓。如果電流流動，則意味著原子從單元的一端移動到另一端，并且單元處于擦除狀態。如果沒有電流流動，則原子已經在電池的那一端。如果讀取操作導致原子移動，則在讀取單元格之后必須將該原子恢復到原始位置。

　　最近的研究發現，FRAM可以使用氧化鉿制成，氧化鉿是一種廣泛應用于半導體工廠的材料。這是FRAM區別于其他新興存儲技術的決定性優勢。目前的FRAM使用三端選擇器，這對其承載能力有一定限制。

　　其他技術：NRAM由碳納米管，石墨烯存儲器，導電電子RAM（CeRAM）和上述技術的變體制成，如聚合物鐵電體，鐵電隧道結（FTJ），鐵電FET（FeFET），界面PCM（iPCM，也稱為Superlattice PCM或TRAM），磁電RAM（MeRAM），Racetrack Memory等等。

　　綜上，當DRAM和NAND閃存無法繼續降低成本時，所有新技術都會爭奪下一代存儲市場地位，但在此之前必須克服諸多技術和應用障礙。