| 高速大容量DDR微系統(tǒng)過孔串?dāng)_研究 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：980 K | |
| 標(biāo)簽： 過孔串?dāng)_ 微系統(tǒng) DDR | |
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| 文檔介紹：隨著高速數(shù)字微系統(tǒng)中DDR總線信號(hào)傳輸速率與系統(tǒng)集成度的不斷提高，過孔串?dāng)_問題成為影響系統(tǒng)信號(hào)完整性的不可忽視的因素之一。基于電磁耦合理論，通過建模仿真方法量化分析了過孔串?dāng)_的主要影響因素以及串?dāng)_噪聲對(duì)信號(hào)質(zhì)量的影響，在此基礎(chǔ)上提出了過孔設(shè)計(jì)的主要原則以及減小串?dāng)_噪聲的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法；介紹了一種正反面腔體結(jié)構(gòu)系統(tǒng)級(jí)封裝的信號(hào)處理微系統(tǒng)基板，結(jié)合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)對(duì)DDR3總線進(jìn)行了仿真分析與評(píng)估，通過以上方法優(yōu)化過孔串?dāng)_大大改善了DDR總線的信號(hào)完整性，驗(yàn)證了該方法的正確性與有效性。 | |
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