工業自動化最新文章 富士通2nm CPU仍交由臺積電代工 6月24日消息，據日經新聞報道，日本富士通（Fujitsu）目前正研發2nm CPU “MONAKA”，預計將交由臺積電代工生產。不過，富士通也表示，日本初創晶圓代工企業Rapidus 對于確保供應鏈穩定性來說非常有用。 據了解，富士通Monaka是一款面向數據中心的處理器，采用基于臺積電的CoWoS-L封裝技術的博通3.5D XDSiP技術平臺，擁有36個計算小芯片。其中主要的CPU計算核心基于Armv9指令集，擁有144個CPU內核，采用臺積電2nm制程制造，并使用混合銅鍵合 （HCB） 以面對面 （F2F） 方式堆疊在 SRAM tiles 上（本質上是巨大的緩存）。SRAM tiles是基于臺積電的5nm工藝制造的。計算和緩存堆棧伴隨著一個相對巨大的 I/O 芯片，該芯片集成了內存控制器、頂部帶有 CXL 3.0 的 PCIe 6.0 通道以連接加速器和擴展器，以及人們期望從數據中心級 CPU 獲得的其他接口。 發表于：6/24/2025 2026年約1/3手機芯片采用2nm/3nm先進工藝 CounterPoint 預測 2026 年約 1/3 出貨手機芯片采用 2nm / 3nm 先進工藝 發表于：6/24/2025 阿里云推出自動駕駛模型加速框架PAI-TurboX 訓練時間可縮短 50%，阿里云推出自動駕駛模型加速框架 PAI-TurboX 發表于：6/24/2025 西門子宣布計劃在重慶建立創新研發中心 6 月 23 日消息，西門子中國今日發文，當地時間 6 月 19 日，重慶市委書記袁家軍與中國駐德國大使鄧洪波一行，到訪西門子總部（柏林），并與西門子董事會主席、總裁兼首席執行官博樂（Roland Busch）、西門子中國董事長、總裁兼首席執行官肖松等管理層進行會談。雙方圍繞中德產業共創共贏、西門子與重慶戰略合作深化、創新能力共建等話題進行了深入交流。 發表于：6/24/2025 瑞薩電子因Wolfspeed破產將認列2500億日元損失 由于碳化硅（SiC）材料大廠Wolfspeed 可能將在近期內申請破產，6月23日，曾與Wolfspeed達成碳化硅供應協議的瑞薩電子，已與 Wolfspeed及其主要債權人簽署重組支持協議（以下簡稱“重組支持協議”），以對 Wolfspeed 進行財務重組。瑞薩預計將認列2500億日元損失。 發表于：6/24/2025 中國科學院雙向高導熱石墨膜研究獲突破 中國科學院上海微系統所：雙向高導熱石墨膜研究獲突破，為 5G芯片、功率半導體熱管理提供技術支撐 6 月 23 日消息，近日，中國科學院上海微系統所聯合寧波大學研究團隊在《Advanced Functional Materials》發表研究，提出以芳綸膜為前驅體通過高溫石墨化工藝制備低缺陷、大晶粒、高取向的雙向高導熱石墨膜，在膜厚度達到 40 微米的情況下實現面內熱導率 Kin 達到 1754W/m·K，面外熱導率 Kout 突破 14.2W/m·K。與傳統導熱膜相比，雙向高導熱石墨膜在面內和面外熱導率及缺陷控制上均表現出顯著優勢。 發表于：6/23/2025 英特爾公布18A工藝節點技術細節 6 月 22 日消息，英特爾在 2025 年超大規模集成電路技術與電路研討會（Symposium on VLSI Technology and Circuits）上披露下一代 Intel 18A 工藝節點技術細節。 發表于：6/23/2025 三星被曝芯病嚴重：偽造數據、掩蓋缺陷 6 月 19 日消息，據海外科技媒體 Rest of World 報道，三星電子的芯片工程師正在流失，由于長時間工作、低工資和充滿敵意的工作文化，許多芯片員工紛紛跳槽，投奔包括美國公司在內的競爭對手。剩下的員工不得不長時間、高強度地輪班工作，以彌補空缺。 發表于：6/23/2025 傳聯電計劃收購彩晶南科廠以發展先進封裝 近日市場傳出消息稱，晶圓代工大廠聯電有意在南科收購瀚宇彩晶廠房。對此，聯電響應表示，對于市場傳言不予評論。不過針對未來在中國臺灣產能規劃，聯電指出，目前已在新加坡建置2.5D先進封裝產能，并已將部分制程拉回中臺灣，不排除未來在臺擴廠的可能。 未來將依據業務發展與整體策略，搭配既有的晶圓對晶圓鍵合（Wafer to Wafer Bonding）技術，持續在臺灣推進更完整的先進封裝解決方案。 聯電目前于南科設有Fab 12A廠，于2002年開始量產，現已導入14nm制程，提供客戶高階定制化制造。據業界信息指出，聯電正洽談購置Fab 12A廠對面的彩晶廠房，未來可能規劃用于發展先進封裝產能。 發表于：6/23/2025 美國擬撤銷對三星/SK海力士/臺積電在華晶圓廠“豁免” 美國擬撤銷對三星/SK海力士/臺積電在華晶圓廠“豁免” 6月20日，據《華爾街日報》援引知情人士的話報道稱，負責美國商務部工業和安全局（BIS）的商務部副部長杰弗里·凱斯勒 （Jeffrey Kessler） 已經通知三星電子、SK海力士、臺積電等在中國大陸擁有晶圓廠的晶圓制造商，美國計劃取消允許它們在中國使用美國技術（主要是半導體設備）的豁免。 發表于：6/23/2025 消息稱軟銀構想在美國建設萬億美元超級科技工業綜合體 6 月 20 日消息，彭博社早些時候報道稱，軟銀創始人孫正義構想在美國亞利桑那州建設一個價值萬億美元的工業綜合體，覆蓋從 AI 到工業機器人的多樣化產業。 發表于：6/20/2025 MIT新3D半導體工藝探索突破摩爾定律新路徑 6 月 20 日消息，麻省理工學院（MIT）的研究團隊開發出一種低成本、可擴展的制造技術，可將高性能氮化鎵（GaN）晶體管集成到標準硅芯片上，從而提升高頻應用（如視頻通話、實時深度學習）的性能表現。 發表于：6/20/2025 零次方機器人發布國內首個全模態具身數據全鏈路解決方案 6 月 19 日消息，據安徽日報報道，位于安徽合肥的零次方機器人有限公司今日宣布，該企業在智能核心技術領域取得重大突破，發布國內首個、業內領先的“全模態”具身數據全鏈路解決方案。“它如同人形機器人的‘訓練寶典’，可系統解決當前制約具身智能模型訓練與落地的核心痛點，讓人形機器人訓練與場景落地更快速、更便捷。” 發表于：6/20/2025 英特爾董事稱蝕刻技術將取代光刻成芯片制造核心 6月20日消息，據媒體報道，英特爾一位董事提出，未來晶體管設計（如GAAFET和CFET）可能降低芯片制造對先進光刻設備（尤其是EUV光刻機）的依賴。這一觀點挑戰了當前先進芯片制造的核心范式。 目前，ASML的極紫外（EUV）光刻機是制造高端芯片（如7nm及以下節點）的關鍵設備，它負責將極其微小的電路設計“打印”到硅晶圓上。 然而，該董事認為，像環繞柵極場效應晶體管（GAAFET）和互補場效應晶體管（CFET）這樣的新型設計，將顯著增加光刻之后制造步驟（特別是刻蝕技術）的重要性，從而削弱光刻在整體工藝中的主導地位。 芯片制造流程始于光刻——將設計圖案轉移到晶圓表面。隨后通過沉積添加材料，并通過刻蝕選擇性地去除材料，最終形成晶體管和電路結構。 發表于：6/20/2025 臺積電前高管蔣尚義：遺憾在位時沒能打敗英特爾！ 6月19日消息，近日，鴻海董事、前臺積電首席運營官蔣尚義，在一場高峰對話中分享了他對臺積電發展的回顧與展望。 他表示自己在產業工作50年，最遺憾的是沒有打敗英特爾，不過他從臺積電退休后，臺積電很快就做到了，他幽默地說，“早知道就晚兩年退休了”。 蔣尚義回憶稱，臺積電在2000年前并不出名，技術甚至落后同業2.5代，自1997年起他在臺積電負責研發，臺積電逐漸崛起，成為全球知名的半導體代工巨頭。 發表于：6/20/2025 ?…15161718192021222324…?
