7月2日消息，據(jù)媒體報(bào)道，2023年末ASML向英特爾交付了首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)，業(yè)界普遍認(rèn)為，High-NA EUV光刻技術(shù)將在先進(jìn)芯片開(kāi)發(fā)和下一代處理器的生產(chǎn)中發(fā)揮關(guān)鍵作用。

不過(guò)這種情況最近似乎發(fā)生了變化，各個(gè)晶圓代工廠(chǎng)都在減少對(duì)High-NA EUV依賴(lài)，并且延后引入新技術(shù)的時(shí)間。

近日投資機(jī)構(gòu)下調(diào)ASML目標(biāo)股價(jià)，從每股795歐元降至759歐元，降幅約5%，同時(shí)調(diào)低了2026-2027年的收益預(yù)期。不過(guò)，機(jī)構(gòu)仍維持“買(mǎi)入”評(píng)級(jí)，認(rèn)為ASML長(zhǎng)期增長(zhǎng)邏輯未變。

此次股價(jià)預(yù)期調(diào)整的核心原因在于High-NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)）需求不及預(yù)期。美國(guó)銀行預(yù)測(cè)，ASML 2026年High-NA EUV出貨量或僅4臺(tái)，較此前預(yù)期減少50%。

行業(yè)分析指出，芯片制造技術(shù)正轉(zhuǎn)向新型晶體管結(jié)構(gòu)（如GAAFET、CFET），這些設(shè)計(jì)通過(guò)“環(huán)繞式柵極”和蝕刻工藝優(yōu)化性能，降低了對(duì)光刻精度的依賴(lài)。因此，晶圓廠(chǎng)可能延后High-NA EUV的采用時(shí)間，轉(zhuǎn)而優(yōu)化現(xiàn)有EUV設(shè)備的使用效率。

盡管短期面臨High-NA EUV需求調(diào)整，但投資機(jī)構(gòu)對(duì)ASML的長(zhǎng)期前景仍持樂(lè)觀態(tài)度。AI芯片（如GPU、AI加速器）的爆發(fā)式增長(zhǎng)推動(dòng)先進(jìn)制程需求，而ASML的EUV技術(shù)仍是3nm及以下工藝的關(guān)鍵設(shè)備。