7 月 2 日消息，韓媒 ETNews 當?shù)貢r間昨日報道稱，三星計劃明年三月啟動其下一代 3D NAND 閃存 —— 第十代 V-NAND 的首條量產(chǎn)線建設，有望當年 10 月進入全面量產(chǎn)階段。

據(jù)悉該產(chǎn)線的建設計劃為 2026 年 3 月開始設備安裝，上半年建成產(chǎn)線，此后進行試生產(chǎn)，在穩(wěn)定后轉(zhuǎn)入正式量產(chǎn)。這一時間表晚于此前部分人士的預期。

三星電子目前最先進的 NAND 工藝為 286 層的 V9，而下代 V10 的堆疊層數(shù)將暴漲到 400 層以上（IT之家注：據(jù)悉為 430 層左右），屆時有望成為最高堆疊閃存，其還引入了超低溫蝕刻、混合鍵合等先進技術(shù)。

根據(jù)三星電子為今年 2 月的 ISSCC 2025 會議準備的演講，其 V10 NAND 的 TLC 版本可實現(xiàn) 28Gb/mm2 的存儲密度、5.6Gbps 的 I/O 引腳速率。