6 月 10 日消息，美光美國愛達荷州博伊西當地時間今日宣布向多個關鍵客戶交付其 HBM4 36GB 12Hi 內存樣品。
美光的 HBM4 36GB 12Hi 基于其成熟的 1? 工藝 24Gb DRAM Die 和 12 層堆疊封裝技術，每個堆棧的速度超過 2.0TB/s，性能較上代 HBM3E 提升 60% 以上，同時能效也實現了 20% 的改進；此外其擁有強大的 MBIST 內存內置自檢功能。
美光表示其 HBM4 內存提升了邏輯 xPU 與內存間的數據交互，讓 AI加速器能更快地響應并更有效地進行推理。該企業(yè)計劃在 2026 年實現 HBM4 的產能爬坡，與客戶的下一代 AI 平臺量產節(jié)奏保持一致。
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