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傳三星12層堆疊HBM3E已通過英偉達(dá)認(rèn)證
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美光1γ制程LPDDR5X良率提升速度超越上代
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DDR4現(xiàn)貨價(jià)首次超越同規(guī)格DDR5一倍
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美光宣布將停產(chǎn)DDR4 價(jià)格或?qū)⒊掷m(xù)上漲
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三星完成400層NAND Flash開發(fā)
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一季度全球硅晶圓出貨量同比下滑13.2%
發(fā)表于：5/6/2024 9:12:20 AM
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