5 月 22 日消息，SK 海力士今日宣布，公司成功開發出搭載全球最高 321 層 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 閃存的移動端解決方案產品 UFS 4.1。

SK 海力士表示：“為了在移動設備上實現端側（On-device）AI 的穩定運行，所搭載的 NAND 閃存解決方案產品必須兼具高性能與低功耗特性。依托這款對 AI 工作負載優化的 UFS 4.1 產品，公司將進一步鞏固其在旗艦智能手機市場中的存儲器技術領導地位。”

據介紹，隨著端側 AI 的需求持續增長，終端設備的計算性能與電池效率之間的平衡日趨關鍵，超薄設計和低功耗特性已成為移動設備的行業標準。

順應這一趨勢，公司此次開發的新品較上一代基于 238 層 NAND 閃存的產品能效提升了 7%。同時，成功將產品厚度從 1mm 減薄至 0.85mm，使其能夠適配超薄智能手機。

查詢獲悉，該產品支持第四代 UFS 產品的順序讀取峰值，數據傳輸速率高達 4300MB/s。決定移動設備多任務處理能力的隨機讀取和寫入速度，相較上一代產品分別提升了 15% 與 40%，達到現存 UFS 4.1 產品中全球領先水平。

該產品提供 512GB 和 1TB 兩種容量規格。公司計劃于今年內向客戶交付樣品以進行驗證流程，并將于明年第一季度正式進入量產階段。