2 月 27 日消息，韓媒 ETNews 昨日（2 月 26 日）發布博文，報道稱 SK 海力士的第 6 代 12 層堆疊高帶寬內存 HBM4 測試良率已達 70%，為即將到來的量產階段奠定了堅實基礎，也預示著 SK 海力士在 HBM4 市場競爭中占據有利地位。

注：良率作為衡量半導體良品比例的關鍵指標，直接關系到企業的市場競爭力。SK 海力士的 12 層堆疊 HBM4 在 2024 年年底良率已達到 60%，而最新消息稱測試良率已提升至 70%，進展迅速。

消息稱 SK 海力士 HBM4 的進展，得益于其第五代 10nm 級 DRAM（1b）的應用，該技術在性能和穩定性方面已經過驗證，并且也用于 SK 海力士的 HBM3e 產品。

鑒于 HBM3E 曾實現 80% 的目標良率并縮短 50% 的量產時間，業內人士預測 HBM4 12 層堆疊產品也將快速進入量產階段。SK 海力士目前已完成內部技術開發和評估，即將提供樣品進行客戶性能測試，通過后即可啟動量產。

12 層堆疊 HBM4 有望部署在代號為英偉達下一代 AI 加速器“Grace Hopper”系列中，而此前曝料稱英偉達計劃提前至 2025 年下半年量產“Grace Hopper”系列，這可能促使 SK 海力士進一步加快提升 HBM4 良率和量產進程，以滿足客戶需求。