1月21日消息，近日晶圓代工大廠臺積電首席財(cái)務(wù)官黃仁昭在接受美國媒體CNBC采訪時透露，臺積電已于2024年四季度獲得了美國政府15億美元的補(bǔ)貼款，并認(rèn)為新上臺的美國特朗普政府將繼續(xù)為臺積電在美投資計(jì)劃提供已經(jīng)敲定的補(bǔ)貼資金。

黃仁昭表示，隨著臺積電美國晶圓廠達(dá)到營建和生產(chǎn)里程碑，預(yù)期在特朗普執(zhí)政下，美國政府承諾提供的補(bǔ)貼資金會陸續(xù)到位。

2024年11月15日，美國拜登政府趕在下臺之前正式與臺積電簽訂了正式的協(xié)議，美國商務(wù)部將根據(jù)《芯片與科學(xué)法案》向臺積電位于美國亞利桑那州的子公司TSMC Arizona提供高達(dá) 66 億美元的直接資助和50億美元貸款，以支持臺積電在亞利桑那投資650億美元建立三座晶圓廠的計(jì)劃。

針對外界關(guān)注美國投資布局進(jìn)展，臺積電董事長魏哲家2025年1月16日法說會上提到，臺積電不僅與拜登政府有很好溝通，也與特朗普政府溝通良好，同時獲得美國聯(lián)邦、州和地方等各級政府的承諾與支持。

魏哲家表示，“在美國，臺積電與美國政府有著長期良好的合作關(guān)系，甚至早在2020年5月宣布亞利桑那州晶圓廠投資案之前就已經(jīng)建立。”

魏哲家進(jìn)一步指出，臺積電先進(jìn)制程一定會優(yōu)先考察在中國臺灣量產(chǎn)，主要因美國供應(yīng)鏈生態(tài)系不完整，但也正與美國政府溝通，擴(kuò)大生態(tài)系獎勵及建立，逐步縮小和中國臺灣技術(shù)落差，不會將所有先進(jìn)制程移往美國，所以不會變成“美積電”。

黃仁昭近日在接受CNBC采訪時進(jìn)一步指出：“實(shí)際上，去年第4季時，我們已獲得第一批政府補(bǔ)貼。”他透露，臺積電已經(jīng)獲得其中的15億美元資金。

黃仁昭說，在經(jīng)歷了一些生產(chǎn)延后后，亞利桑那州一廠去年第4季已經(jīng)開始生產(chǎn)先進(jìn)芯片，至于另外兩座廠正按計(jì)劃興建中，第二座廠預(yù)定2028年投產(chǎn)。

臺積電是在2020年5月宣布于亞利桑那州的第一筆投資，隨后2023年又宣布建第二座晶圓廠，將投資規(guī)模提升到400億美元。2024年4月，臺積電又宣布將在亞利桑那州鳳凰城建造兩座晶圓廠計(jì)劃的基礎(chǔ)上，再建造第三座晶圓廠，使得總體投資金額從原來的400億美元提升到650億美元，并創(chuàng)造超過25000個直接建筑和制造業(yè)就業(yè)機(jī)會，以及數(shù)千個間接就業(yè)機(jī)會。有助于實(shí)現(xiàn)美國到 2030 年生產(chǎn) 20% 全球最先進(jìn)邏輯芯片的目標(biāo)。

根據(jù)計(jì)劃，這三座晶圓廠將包括一期的4nm晶圓廠，量產(chǎn)時間從2024年推遲到2025年上半年；二期的3nm晶圓廠，原定于2026年開始量產(chǎn)，推遲到了2028年。兩座晶圓廠完工后，合計(jì)將年產(chǎn)超過60萬片晶圓，換算至終端產(chǎn)品市場價(jià)值預(yù)估超過400億美元。新增的三期晶圓廠將生產(chǎn)2nm或更先進(jìn)的制程技術(shù)，預(yù)計(jì)將在21世紀(jì)20年代底（2029～2030年）間量產(chǎn)。

對此，美國政府也與臺積電簽訂協(xié)議，將依據(jù)《芯片與科學(xué)法案》向臺積電提供高達(dá)66億美元的補(bǔ)貼資金和50億美元的低息貸款，用以支持臺積電在美國亞利桑那州鳳凰城建設(shè)先進(jìn)的半導(dǎo)體制造設(shè)施，進(jìn)而促進(jìn)關(guān)鍵芯片在美國本土的生產(chǎn)。

然而，外界擔(dān)心，美國新一屆總統(tǒng)特朗普上任后是否會重新檢視拜登執(zhí)政時期的芯片補(bǔ)貼政策。因此，特朗普在競選總統(tǒng)期間，曾公開批評芯片法案以及配套的承諾投入近530億美元投資美國半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的做法。特朗普主張關(guān)稅才是推動在美國本土生產(chǎn)芯片的更有效策略。

隨后在特朗普當(dāng)選美國總統(tǒng)后，還曾指責(zé)中國臺灣“偷走”了美國芯片生意。不過，產(chǎn)業(yè)專家表示，預(yù)期川普會大致維持拜登時期的芯片產(chǎn)業(yè)補(bǔ)貼政策，原因是國會兩黨都維持支持立場。