2024 年 11 月 20 日，中國北京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內存模塊（MRDIMM）的完整內存接口芯片組解決方案。

　　人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和其它數據中心應用對內存帶寬的要求不斷提高，這就需要新的DDR5 MRDIMM。它們的運行速度高達每秒12,800兆次傳輸（MT/s）；與第一代解決方案相比內存帶寬提高1.35倍。瑞薩與包括CPU和內存供應商在內的行業領導者以及終端客戶合作，在新型MRDIMM的設計、開發與部署方面發揮了關鍵作用。

　　瑞薩設計并推出三款全新關鍵組件：RRG50120第二代多路復用寄存時鐘驅動器（MRCD）、RRG51020第二代多路復用數據緩沖器（MDB），和RRG53220第二代電源管理集成電路（PMIC）。此外，瑞薩還批量生產溫度傳感器（TS）和串行存在檢測（SPD）集線器解決方案，并為包括行業標準下一代MRDIMM在內的各類服務器和客戶端DIMM提供全面的芯片組解決方案。作為內存接口領域的卓越廠商，瑞薩致力于為用戶提供高質量、高性能的產品和服務。

　　Davin Lee, Senior Vice President and General Manager of Analog & Connectivity and Embedded Processing表示：“AI和HPC應用對更高性能系統的需求持續增長。瑞薩緊跟這一趨勢，與行業領導者攜手開發下一代技術及規范。這些公司依靠瑞薩提供的專業技術知識和生產能力來滿足日益增長的需求。我們面向第二代DDR5 MRDIMM的最新芯片組解決方案，體現了瑞薩在這一市場領域的卓越地位?！?/p>

　　瑞薩RRG50120第二代MRCD用于MRDIMM，緩沖主機控制器與DRAM之間的命令/地址（CA）總線、芯片選擇和時鐘。與第一代產品相比，其功耗降低45%。這對于超高速系統的熱管理而言是一個關鍵指標。RRG51020 Gen 2 MDB是MRDIMM中使用的另一個關鍵器件，用于緩沖從主機CPU到DRAM的數據。瑞薩的新MRCD和MDB均支持高達每秒12.8吉比特（Gbps）的速度。此外，瑞薩的RRG53220下一代PMIC提供出色的電氣過壓保護和卓越的能效，并針對高電流及低電壓操作進行優化。

　　供貨信息

　　瑞薩現已開始提供RRG50120 MRCD、RRG51020 MDB和RRG53220 PMIC的樣品。預計新產品將于2025年上半年投產。

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