7 月 23 日消息，微電子標準制定方 JEDEC 固態技術協會當地時間 22 日宣布，DDR5 MRDIMM 和 LPDDR6 CAMM 內存技術規范即將正式推出，并介紹了這兩項內存的關鍵細節。

DDR5 MRDIMM 中的“MR”即 Multiplexed Rank（多路復用列），這意味著該內存支持兩個或以上的 Rank（列），并可在單個通道上組合和傳輸多個數據信號，無需額外的物理連接就能有效提升帶寬。

JEDEC 規劃了多代 DDR5 MRDIMM 內存，目標最終將其帶寬提升至 12.8Gbps，較 DDR5 RDIMM 內存目前的 6.4Gbps 翻倍。

在 JEDEC 的設想中，DDR5 MRDIMM 將利用與現有 DDR5 DIMM 相同的引腳、SPD、PMIC 等設計，與 RDIMM 平臺兼容，并利用現有的 LRDIMM 生態系統進行設計與測試。

此外 JEDEC 還規劃了 Tall MRDIMM 外形尺寸。正如其名，這一設計將采用更高的外形尺寸，使其支持的 DRAM 封裝數量翻倍，可進一步提升內存容量。

▲ 美光 MRDIMM 內存產品，左側為 Tall 版

而在 LPDDR6 CAMM 方面，JEDEC 表示預計將實現 14.4GT/s 以上的最大速度，同時將提到 24bit 位寬子通道、48bit 位寬通道并支持“連接器陣列”（注：原文為 connector array）。