6 月 24 日消息，韓媒 BusinessKorea 報道，業內人士透露 SK 海力士在 6 月 16 至 20 日在美國夏威夷舉行的 VLSI 2024 峰會上發表了有關 3D DRAM 技術的最新研究論文。
在這篇論文中，SK 海力士報告其五層堆疊的 3D DRAM 內存良率已達 56.1%，實驗中的 3D DRAM 展現出與目前 2D DRAM 相似的特性。
據介紹，與傳統的 DRAM 水平排列內存單元不同，3D DRAM 垂直堆疊單元，可以在相同空間內實現更高的密度。
不過，SK 海力士指出，與 2D DRAM 的穩定運行不同，3D DRAM 表現出不穩定的性能特征，需要堆疊 32 到 192 層存儲單元才能實現普遍應用。
三星正在開發 16 層堆疊 3D DRAM，并在今年 3 月的 MemCon 2024 展會上宣布計劃在 2030 年左右實現 3D DRAM 產品商業化應用。
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