5 月 7 日消息，臺積電在近日召開的北美技術(shù)論壇上發(fā)表了 A16 節(jié)點相關(guān)信息，主要容納更多的晶體管，提升運算效能、更進一步降低功耗。
此外消息稱臺積電 A16 工藝節(jié)點采用了全新的 Super PowerRail 背面供電技術(shù)，其復(fù)雜程度要高于英特爾的負面供電技術(shù)，可以更好地滿足 AI 芯片、數(shù)據(jù)中心的發(fā)展需求。
由于晶體管越來越小，密度越來越高，堆疊層數(shù)也越來越多，因此想要為晶體管供電和傳輸數(shù)據(jù)信號，需要穿過 10-20 層堆棧，大大提高了線路設(shè)計的復(fù)雜程度。
臺積電的 A16 節(jié)點采用了背面供電技術(shù)，供電線路位于晶體管的下方，而不是上方，從而緩解 IR 壓降（會降低芯片晶體管接收的電壓，進而降低其性能）問題。
援引臺積電官方新聞稿，晶體管由四個主要組件組成，包括源極、汲極、通道和閘極。源極是電流流入晶體管的入口，而汲極是出口；通道和柵極依序負責(zé)協(xié)調(diào)電子的運動。
而臺積電的 A16 節(jié)點制程技術(shù)中的電力傳輸線直接連接到源極和汲極，因此要比英特爾的背面供電技術(shù)更加復(fù)雜。臺積電表示，其決定采用更復(fù)雜的設(shè)計原因是有助于提高客戶芯片的效能。
臺積電表示在相同工作電壓（Vdd）下，使用 Super PowerRail 的 A16 節(jié)點運算速度要比 N2P 快 8~10%；相同運算速度下，功耗降低 15%~20%，芯片密度提升高達 1.10 倍。
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