據媒體報道，三星即將在“VLSI Symposium 2024”上展示其2nm（SF2）工藝中的第三代GAA（Gate-All-Around）晶體管技術特性，并將在6月16日至20日期間分享更多關鍵細節(jié)。
據三星透露，這項新工藝不僅優(yōu)化了多橋-通道場效應晶體管（MBCFET）架構，還引入了獨特的外延和集成工藝。與現有的FinFET技術相比，該新工藝顯著提升了晶體管性能，幅度高達11%至46%，同時可變性降低了26%，漏電現象減少了約50%。SF2的技術開發(fā)工作預計將在2024年第二季度完成，屆時三星的芯片合作伙伴將有機會選擇這一先進的制程節(jié)點進行產品設計。
三星在半導體工藝領域一直尋求突破，尤其在經歷了之前與高通合作中的工藝挑戰(zhàn)后，三星更加致力于通過2nm等先進制程技術來鞏固其市場地位，并與臺積電等競爭對手展開競爭。
為了加強2nm工藝生態(tài)系統(tǒng)的建設，三星已經吸引了超過50個合作伙伴。此外，今年2月，三星宣布與Arm合作，共同優(yōu)化基于最新GAA晶體管技術的下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU內核，以進一步提升性能和效率，為用戶帶來前所未有的體驗。
不僅如此，三星還計劃推出第三代3nm工藝，旨在繼續(xù)提高芯片密度、降低功耗，并努力提升良品率。此前，三星的初代3nm工藝在良品率方面遭遇挑戰(zhàn)，傳聞其早期良品率僅為20%，主要用于生產加密貨幣相關芯片。然而，三星并未因此氣餒，而是持續(xù)投入研發(fā)，力求在未來的工藝中取得更好的表現。
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