據湖北九峰山實驗室消息，作為半導體制造不可或缺的材料，光刻膠質量和性能是影響集成電路電性、成品率及可靠性的關鍵因素。但光刻膠技術門檻高，市場上制程穩定性高、工藝寬容度大、普適性強的光刻膠產品屈指可數。當半導體制造節點進入到 100 nm 甚至是 10 nm 以下，如何產生分辨率高且截面形貌優良、線邊緣粗糙度低的光刻圖形，成為光刻制造的共性難題。
針對上述瓶頸問題，九峰山實驗室、華中科技大學組成聯合研究團隊，支持華中科技大學團隊突破 " 雙非離子型光酸協同增強響應的化學放大光刻膠 " 技術。
該研究通過巧妙的化學結構設計，以兩種光敏單元構建 " 雙非離子型光酸協同增強響應的化學放大光刻膠 "，最終得到光刻圖像形貌與線邊緣粗糙度優良、space 圖案寬度值正態分布標準差（SD）極小（約為 0.05）、性能優于大多數商用光刻膠。且光刻顯影各步驟所需時間完全符合半導體量產制造中對吞吐量和生產效率的需求。
該研究成果有望為光刻制造的共性難題提供明確的方向，同時為 EUV 光刻膠的著力開發做技術儲備。
相關成果以 "Dual nonionic photoacids synergistically enhanced photosensitivity for chemical amplified resists" 為題，于 2024 年 2 月 15 日在國際頂級刊物 Chemical Engineering Journal ( IF=15.1 ) 發表。
該項目由國家自然科學基金、973 計劃共同資助，主要作者為華中科技大學光電國家研究中心朱明強教授，湖北九峰山實驗室工藝中心柳俊教授和向詩力博士。
依托九峰山實驗室工藝平臺，上述具有自主知識產權的光刻膠體系在產線上完整了初步工藝驗證，并同步完成了各項技術指標的檢測優化，實現了從技術開發到成果轉化的全鏈條打通。
