6 月 11 日消息，韓媒 ETNews 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日報(bào)道稱，三星電子在 DRAM 內(nèi)存領(lǐng)域率先導(dǎo)入干式光刻膠 (Dry PR) 技術(shù)，將應(yīng)用于到即將正式推出的第 6 代 10 納米級工藝 (1c nm) 中。
消息指三星電子已完成了干式光刻膠涂覆、顯影等工序所需的多臺泛林集團(tuán) (Lam Research) 所需設(shè)備。
不同于使用溶液旋涂、需要溶劑沖洗的傳統(tǒng)濕式光刻膠，干式光刻膠直接沉積到晶圓表面，這避免了光刻膠去除過程中液體表面張力影響圖案完整性的問題。此外干式光刻膠也具有更高的曝光效率、能實(shí)現(xiàn)更為精細(xì)的線寬。
三星電子計(jì)劃將 1c nm DRAM 應(yīng)用在其 HBM4 產(chǎn)品中，干式光刻膠對圖案質(zhì)量的提升有望成為提高 HBM4 堆棧信號完整性與可靠性的物理起點(diǎn)。
泛林集團(tuán)今年 1 月 29 日已宣布其干式光刻膠已得到一家領(lǐng)先存儲(chǔ)器制造商在最先進(jìn) DRAM 工藝上的導(dǎo)入。
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