企查查顯示，近日華為技術有限公司新增多條專利信息，其中一條名稱為“一種半導體裝置以及半導體裝置的制作方法”，公開號為CN117501441A。
專利摘要顯示，本申請實施例公開了一種半導體裝置以及半導體裝置的制作方法。一種半導體裝置包括：硅通孔以及依次層疊的第一芯片，第二芯片和第五絕緣層。第一芯片包括具有第一開口的第一絕緣層；第一開口暴露出第一電連接層。硅通孔包括相連的第一段硅通孔和第二段硅通孔；第一段硅通孔位于第一開口中，第一段硅通孔的底部為第一電連接層；第二段硅通孔貫穿第二芯片，第二段硅通孔的底部連接第一段硅通孔，頂部連接第三電連接層；第一金屬通孔的底部連接第二電連接層，頂部連接第三電連接層。第一電連接層和第二電連接層通過硅通孔、第一金屬通孔和第三電連接層形成電連接。實施本申請實施例，可以減小或避免因為電荷堆積，造成的硅通孔刻蝕過程中硅橫向刻蝕。
據悉，截至2022年底，華為持有超過12萬項有效授權專利，主要分布在中國、歐洲、美洲、亞太、中東和非洲。其中，華為在中國和歐洲各持有4萬多項專利，在美國持有22,000多項專利。華為2023年前三季度研發費用為1149.91億元，預計10年間累計研發費用可突破萬億元。根據歐盟2023年最新數據，華為研發費用排名世界第五。
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