晶圓（Wafer）

是半導體晶體圓片的簡稱，為圓柱狀半導體晶體的薄切片，用于集成電路制程中作為載體的基片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓。最常見的是硅晶圓，另外還有氮化鎵晶圓、碳化硅晶圓等；一般晶圓產量多為單晶硅圓片。

晶圓是最常用的半導體材料，按其直徑分為2英寸、3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸等規格，晶圓越大，同一圓片上可生產的集成電路（Integrated Circuit, IC）就越多，可降低成本；但對材料技術和生產工藝的要求更高，例如均勻度等等的問題，使得近年來晶圓不再追求更大，有些時候廠商會基于成本及良率等因素而停留在成熟的舊工藝。一般認為硅晶圓的直徑越大，代表著晶圓廠有更好的技術，在生產晶圓的過程當中，良率是很重要的標準。

加工處理過后的晶圓

【制造過程】

柴可拉斯基法示意圖

很簡單的說，首先由普通硅砂拉制提煉，經過溶解、提純、蒸餾一系列措施制成單晶硅棒，單晶硅棒經過切片、拋光之后，就得到了單晶硅圓片，也即單晶硅晶圓。

1.將二氧化硅礦石（石英砂）與焦炭混合后，經由電弧爐加熱還原，即生成粗硅（純度98%，冶金級）。SiO2 + C = Si + CO2 ↑

2.鹽酸氯化并經蒸餾后，制成了高純度的多晶硅（半導體級純度11個9，太陽能級7個9），因在精密電子器件當中，硅晶圓需要有相當的純度（99.999999999%），不然會產生缺陷。

3.晶圓制造廠再以柴可拉斯基法將多晶硅熔解，再于溶液內摻入一小粒的硅晶體晶種，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一顆小晶粒在融熔態的硅原料中逐漸生成，此過程稱為“長晶”。這根晶棒的直徑，就是晶圓的直徑。

4.硅晶棒再經過切片、研磨、拋光后，即成為集成電路工廠的基本原料——硅晶圓片，就是“晶圓”（wafer）。

5.晶圓經多次光掩模處理，其中每一次的步驟包括感光劑涂布、曝光、顯影、腐蝕、滲透、植入、刻蝕或蒸著等等，將其光掩模上的電路克隆到層層晶圓上，制成具有多層線路與器件的IC晶圓，再交由后段的測試、切割、封裝廠，以制成實體的集成電路成品。一般來說，大晶圓（12英寸）多是用來制作內存等技術層次較低的IC，而小晶圓（6英寸）則多用來制作模擬IC等技術層次較高之IC，8英寸的晶圓的話則都有。

從晶圓要加工成為產品需要專業精細的分工。

6英寸，8英寸，12英寸晶圓

【著名晶圓廠商】

英特爾（Intel）等公司自行設計并制造自己的IC晶圓直至完成并行銷其產品。三星電子（Samsung）等則兼有晶圓代工及自制芯片業務。

晶圓基片制造廠商

晶圓代工廠商

封裝測試廠商

【多晶硅生產廠商】

【IC設計廠商】

內存廠商

【生產設備】