最新消息，近日佳能（Canon）發布了一個名為 FPA-1200NZ2C 的納米壓印半導體制造設備，號稱通過納米壓印光刻（NIL）技術實現了目前最先進的半導體工藝。

　　官方表示，該技術采用與傳統投影曝光技術不同的方法形成電路圖案，未來要擴大該類半導體設備的陣容來覆蓋廣泛的市場需求。

　　據悉，NIL 技術可以形成最小線寬為 14nm 的圖案（相當于現在 5nm 節點工藝），而且通過進一步改進掩模，還將有可能支持 10nm 的最小線寬（相當于 2nm 節點工藝）。

　　大家知道，ASML 的光刻機（EUV）是通過特定光線照射在涂有光刻膠的晶圓上，從而將電路打印到芯片上，本次佳能的設備則更類似于 “印刷” 而不是 “投影”。

　　佳能的 NIL 設備先是通過將掩模直接壓到晶圓的抗蝕劑層上，將電路圖完整地轉移過去。

　　然后用自家的噴墨技術將適量的抗蝕劑添加到合適的位置，最后將掩模印在涂有抗蝕劑的晶圓上進?精準曝光。單?壓印即可形成復雜的 2D 或 3D 電路圖。

　　官方稱該設備結構簡單，由于不需要 EUV 的大規模特殊波長光學系統和真空腔，所以基于 NIL 技術的設備得以大幅縮小體積。

　　此外，該設備可?更小的功率形成精細圖案，相比傳統的 EUV 投影曝光設備在形成圖案時對應的功耗可降低至 1/10，同時也顯著減少了碳排放。

　　該設備的環境控制新技術可抑制內部細顆粒的產生和污染，實現多層半導體制造所需的高精度對準，并減少由顆粒引起的缺陷，從而可以形成微小且復雜的電路，為尖端半導體器件的制造做出貢獻。

　　最后，官方稱該設備也可用于半導體器件以外的制造，比如用于生產具有數十納米微結構的 XR 超透鏡等。

　　納米壓?。∟anoimprint lithography）最早出現于 1996 年，是一種制造納米級圖案的方法，具有低成本、高產量和高分辨率的特點。

　　鑒于荷蘭光刻機巨頭 ASML 的一家獨大，之前鎧俠等一些日本半導體廠商曾嘗試使用該技術來替換 EUV，但因為內部顆粒污染、良率過低等問題沒能實現商業化，看來本次佳能可能解決了這些問題。

　　眾所周知，佳能以相機、光學設備或打印機等產品領先而聞名，但隨著半導體和人工智能等領域的發展而重新開始注重半導體供應鏈。

　　同尼康一樣，兩者在半導體制造設備的市場競爭中均落后于 ASML。2004 年佳能開始進入納米壓印光刻領域，本次發布半導體設備也說明其正在尋求縮小與 ASML 的市場差距。

　　佳能稱該設備改進掩模后可達到 2nm 節點工藝，而值得一提的是，臺積電和三星代工都計劃將于 2025 年開始量產自己 2nm 工藝芯片，對于 NIL 設備究竟是否能威脅到 ASML EUV 的市場，我們將拭目以待。

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