1月6日消息，據(jù)日經(jīng)新聞報導(dǎo)，正在美國訪問的日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)大臣西村康稔表示，日本新成立的晶圓代工廠Rapidus和IBM已于美國時間5日(日本時間6日凌晨)向日美兩國政府告知，雙方將進(jìn)一步加強(qiáng)合作。

報導(dǎo)稱，除了合作研發(fā)先進(jìn)制程之外，Rapidus、IBM也將在量產(chǎn)、銷售面上建構(gòu)互補(bǔ)的合作機(jī)制，藉此確保最先進(jìn)芯片的供應(yīng)，而IBM超級電腦用芯片將委托Rapidus生產(chǎn)。

根據(jù)此前的報道，日本政府將為Rapidus提供700億日元的補(bǔ)助，其他參與合資的8家日本企業(yè)的投資額總計(jì)也只有73億日。該合資公司初步的投資將會在780億日元左右(約合人民幣39.3億元)。顯然這不到1000億日元的投資，難以支撐其2030年前量產(chǎn)2nm制程的目標(biāo)。

據(jù)日經(jīng)新聞報道，Rapidus 總裁 Atsuyoshi Koike 承認(rèn)日本在尖端技術(shù)節(jié)點(diǎn)方面落后 10-20 年，要扭轉(zhuǎn)局面并不容易。

日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省(METI)稱，Imec 和 Rapidus 打算就 EUV 光刻等關(guān)鍵技術(shù)開展雙邊項(xiàng)目，Rapidus 可能會派工程師到 Imec 進(jìn)行培訓(xùn)。反過來，Imec 愿意考慮在日本設(shè)立研發(fā)團(tuán)隊(duì)來制定長期路線圖。此外，根據(jù) METI 的說法，Imec 和 Rapidus 將考慮與即將成立的前沿半導(dǎo)體技術(shù)中心 (LSTC) 進(jìn)一步合作。

據(jù)悉，LSTC 是在美國和日本于 5 月在日美商業(yè)和工業(yè)伙伴關(guān)系 (JUCIP) 第一次會議上就半導(dǎo)體合作基本原則達(dá)成一致后孵化出來的技術(shù)中心。LSTC 計(jì)劃作為研發(fā)基地，Rapidus 則將作為量產(chǎn)基地。

2022年11月，豐田汽車、索尼、日本電信電話、日本電氣、日本電裝、軟銀、鎧俠和三菱日聯(lián)銀行8家日企已合資成立一家高端芯片公司，取名為Rapidus，日本政府計(jì)劃提供700億日元補(bǔ)貼。

2022年12月6日，Rapidus宣布與比利時微電子研究中心(IMEC)簽署了技術(shù)合作備忘錄，計(jì)劃向其派遣員工等。

2022年12月，與IBM公司合作制造目前最先進(jìn)的芯片。

2022年12月13日，Rapidus宣布，已與IBM公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)2納米節(jié)點(diǎn)技術(shù)。

眾所周知，IBM沒有Foundry工廠，三星電子長期為IBM代工尖端邏輯半導(dǎo)體。據(jù)外海媒體報道，最先進(jìn)的3納米制程的良率很低，且很難提升(另外，也有消息指出5納米的良率最近才提升至70%)。上述信息有可能是道聽途說，但據(jù)說TSMC也曾在3納米的量產(chǎn)上費(fèi)了很大功夫，因此，要想量產(chǎn)尖端工藝、且保證較高的良率，是要花費(fèi)很長一段時間的。對于IBM而言，找到三星電子以外的Foundry量產(chǎn)廠家十分重要。

實(shí)際上，在SEMICON Japan 2022的開幕式(即討論會議)上，小池先生指出：“日本在尖端邏輯半導(dǎo)體方面落后了10一一20年的時間，如果可以獲得IBM的技術(shù)支持，將會十分有利”。在2022年12月13日的記者招待會上，Rapidus的東哲郎董事會長表示：“今天這樣的日美合作項(xiàng)目，IBM在兩年前就曾提出過”。

從這個意義上來說，Rapidus希望盡快掌握尖端工藝的技術(shù)，IBM希望找到第二家Foundry廠家，可謂是二者“一拍即合”!

據(jù)此前消息，臺積電將在日本熊本縣建設(shè)22nm和28nm的半導(dǎo)體生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)于2024年開始量產(chǎn)。該產(chǎn)線月產(chǎn)能為5.5萬片12英寸晶圓，用于車規(guī)和家電用芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)。未來還將升級至更高性能的12～16nm工藝，后續(xù)不排除再提升工藝。

對于已經(jīng)退出尖端邏輯半導(dǎo)體的自主生產(chǎn)的日本來說，22～28nm相當(dāng)于日本國內(nèi)最尖端的技術(shù)。

為了推動本國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，日本首相岸田文雄表示，政府將為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供超過1.4萬億日元的巨額投資，吸引臺積電來日本建廠。總體愿景是在2030年達(dá)成半導(dǎo)體企業(yè)收入增長3倍，提升至13萬億日元的目標(biāo)。

近日，繼臺積電宣布擴(kuò)大在美國亞利桑那州的投資，建設(shè)二期工程之后，臺積電可能也將加碼在日本的投資。據(jù)報道，由于地緣政治瞬息萬變，臺積電因應(yīng)客戶要求分散區(qū)域風(fēng)險，考慮在日本增建一座新廠，以7nm制程切入。又恰巧臺積電才宣布高雄廠7nm延后，引發(fā)臺積電是否將7納米棄高雄轉(zhuǎn)戰(zhàn)日本的聯(lián)想。

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