12月7日，日本佳能宣布將于2023年1月上旬發售面向后道工藝的半導體光刻機新產品——i線步進式光刻機“FPA-5520iV LF2 Option”。
據了解，在半導體芯片的制造工藝中，光刻機負責“曝光”電路圖案。在曝光的一系列工藝中，在硅晶圓上制造出半導體芯片的工藝稱為前道工藝。
保護精密的半導體芯片不受外部環境的影響，并在安裝時實現與外部的電氣連接的封裝工藝稱為后道工藝。
佳能介紹，新款i線步進式光刻機通過0.8μm的高解像力和拼接曝光技術，使100 x 100mm的超大視場曝光成為可能，從而實現2.5D和3D技術相結合的超大型高密度布線封裝的量產。
和去年4月發售的前一代產品“FPA-5520iV LF Option”相比，新品能夠將像差抑制至四分之一以下，視場尺寸也較52x68mm大幅增加。
所謂i線也就是光源來自波長365nm的水銀燈，和EUV光刻機使用的13.5nm波長激光等離子體光源區別明顯。
按照佳能的說法，除芯片精細化以外，封裝的高密度布線也被認為是實現高性能的技術之一。可以預見，隨著對更高性能半導體器件的先進封裝需求的增加，后道工藝中的半導體光刻機市場將繼續擴大。
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