美國(guó)英特爾公司與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所（簡(jiǎn)稱“微電子所”）之間歷時(shí)多年的專利訴訟糾紛，近日迎來(lái)最新進(jìn)展。英特爾表示已于7月與微電子所簽訂了一份保密協(xié)議，解決雙方所有未決訴訟。同時(shí)，英特爾表示會(huì)獲得一些微電子所專利的許可，并對(duì)微電子所剩余專利組合達(dá)成一份長(zhǎng)期的不起訴約定。至此，這場(chǎng)耗時(shí)四年多的中、美半導(dǎo)體芯片行業(yè)，最重磅的一起專利糾紛案，以中國(guó)微電子研究所專利最終被英特爾認(rèn)可，并獲得許可，而告一段落。
近日，英特爾與中科院微電子所的專利訴訟糾紛，在歷經(jīng)4年多的交鋒后終迎來(lái)最新進(jìn)展：英特爾表示，雙方已簽訂一項(xiàng)保密協(xié)議，解決所有未決訴訟，同時(shí)表示會(huì)獲得一些微電子所專利的許可，并對(duì)微電子所剩余專利組合達(dá)成一份長(zhǎng)期的不起訴約定。
如“企業(yè)專利觀察”公眾號(hào)所述，至此，這場(chǎng)中、美芯片行業(yè)最重磅的一起專利糾紛案，以中科院微電子所專利最終被英特爾認(rèn)可并獲得許可，而告一段落。
據(jù)悉，該項(xiàng)專利名為“半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制作方法、及半導(dǎo)體鰭制作方法”的FinFET專利。本次專利訴訟糾紛的解決，意味著我國(guó)在世界集成電路最先進(jìn)的芯片制造領(lǐng)域正在迎頭趕上，經(jīng)得起全球科技巨頭的挑戰(zhàn)，面對(duì)不正當(dāng)?shù)氖侄我颜莆樟艘欢ǖ脑捳Z(yǔ)權(quán)。
中科院微電子與英特爾六次交鋒均獲勝
早在2018年，中科院微電子所就指控英特爾（中國(guó)）有限公司的酷睿（Core）系列處理器侵犯了其名為“半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制作方法、及半導(dǎo)體鰭制作方法”的FinFET專利，要求英特爾賠償至少2億元，同時(shí)請(qǐng)求法院對(duì)“酷睿”產(chǎn)品實(shí)施禁售。
此后，針對(duì)中科院微電子所的這項(xiàng)FinFET專利，英特爾曾在中國(guó)、美國(guó)兩地至少試圖6次申請(qǐng)無(wú)效宣告請(qǐng)求。因?yàn)榘凑沼⑻貭柕挠?jì)劃，如果能夠在各大市場(chǎng)中成功申請(qǐng)將中科院微電子所的專利無(wú)效化，就可以擺脫侵犯專利的嫌疑，自己非但不用賠償，還能夠繼續(xù)沿用這類技術(shù)進(jìn)行盈利。
不過(guò)，每次申請(qǐng)無(wú)效都以英特爾失敗告終，由此可見(jiàn)，中科院微電子所在FinFET領(lǐng)域?qū)＠麑?shí)力非常雄厚。
國(guó)外專利咨詢公司LexInnova也曾在2015年進(jìn)行的FinFET領(lǐng)域?qū)＠{(diào)查研究中顯示，中科院微電子所專利申請(qǐng)數(shù)量在該領(lǐng)域排名第11位，也是中國(guó)大陸唯一進(jìn)入前20位的企業(yè)，但是其專利質(zhì)量卻能夠穩(wěn)壓英特爾等巨頭，成為世界第一。
來(lái)源：微電子所網(wǎng)站
中科院微電子為何能憑借FinFET專利“將”英特爾一軍？
上個(gè)世紀(jì)末，半導(dǎo)體工藝進(jìn)化之路曾一度面臨停滯，摩爾定律遭受威脅，直到一位華人教授胡正明帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)發(fā)明出「FinFET晶體管技術(shù)」，使得摩爾定律延壽了數(shù)十年。
FinFET技術(shù)成功地推動(dòng)了從22nm到5nm等數(shù)代半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，成為全球主流晶圓廠的“不二”之選。中科院微電子所也曾自己對(duì)涉訴專利有過(guò)評(píng)價(jià)，其重要性程度不言而喻：涉案專利涉及當(dāng)今最先進(jìn)的晶體管器件的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)和核心工藝。該專利是在“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”國(guó)家科技重大專項(xiàng)（02專項(xiàng)）的支持下，圍繞集成電路先進(jìn)制造技術(shù)進(jìn)行布局的若干專利組合中的核心專利之一，能夠有效提升芯片集成度并降低制造成本。
簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，這個(gè)專利技術(shù)主要涉及半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制造方法，包括半導(dǎo)體襯底、位于半導(dǎo)體襯底的鰭結(jié)構(gòu)上方的柵極結(jié)構(gòu)、位于柵極結(jié)構(gòu)下方的鰭結(jié)構(gòu)的溝道部分，以及設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上方并且與溝道部分接觸的至少一個(gè)外延區(qū)等等。這一專利如今普遍應(yīng)用于芯片行業(yè)，對(duì)于國(guó)內(nèi)而言，也是開(kāi)拓芯片市場(chǎng)的一大利器。
行業(yè)內(nèi)最早實(shí)現(xiàn)FinFET商業(yè)化應(yīng)用的是Intel公司，英特爾率先于2011年推出了商業(yè)化的FinFET工藝技術(shù)，將FinFET技術(shù)應(yīng)用到了自家的22nm制程工藝上，顯著提高了性能并降低了功耗，之后臺(tái)積電，韓國(guó)的現(xiàn)代和三星等相繼在16納米到10納米的節(jié)點(diǎn)上推出了鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管產(chǎn)品，使得FinFET大放異彩。
中科院微電子前身為原中國(guó)科學(xué)院109廠，其所在FinFET的研發(fā)上位居國(guó)際前沿，且多數(shù)專家都有國(guó)際巨頭半導(dǎo)體企業(yè)的從業(yè)經(jīng)歷。
FinFET與傳統(tǒng)平面FET的區(qū)別主要在“鰭”上，因此對(duì)“鰭”的后續(xù)改進(jìn)，就成為各家爭(zhēng)奪的焦點(diǎn)，中科院微電子所正是在“鰭”的創(chuàng)新上投入了大量的基礎(chǔ)性研究，有超過(guò)一多半的專利都是圍繞“鰭”在研發(fā)，所研發(fā)的FinFET技術(shù)比較接近基本原理，有充足的潛力去支持前端開(kāi)發(fā)，因此專利和科研成果之間的轉(zhuǎn)化也就相對(duì)容易。
公開(kāi)信息顯示，微電子所專利數(shù)量和質(zhì)量都非常可觀。截至目前，微電子所圍繞集成電路、高可靠器件與電路、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域已經(jīng)提交中國(guó)專利申請(qǐng)5000余件，國(guó)外專利申請(qǐng)500余件，轉(zhuǎn)讓專利158件，達(dá)成專利許可1505件。
這些都是英特爾都很難具備對(duì)抗的實(shí)力。
寫在最后
綜上所述，中科院微電子所占據(jù)的優(yōu)勢(shì)并不是經(jīng)營(yíng)規(guī)模多雄厚，資金實(shí)力多強(qiáng)大，而是在它擁有的業(yè)界知名專家，并且這些專家一直勤勤懇懇、兢兢業(yè)業(yè)，這其中不少人在面臨改革開(kāi)放對(duì)我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)造成的沖擊時(shí)，也依然選擇堅(jiān)持下來(lái)，仔細(xì)研究，如此才獲得高質(zhì)量的專利產(chǎn)出，掌握了過(guò)硬的技術(shù)專利，才使得微電子所在應(yīng)對(duì)英特爾時(shí)，一直處于優(yōu)勢(shì)。中國(guó)芯片需要耐心、長(zhǎng)期主義、需要腳踏實(shí)地，也希望我們國(guó)家能擁有更這樣的從業(yè)者！
更多信息可以來(lái)這里獲取==>>電子技術(shù)應(yīng)用-AET<<
