8月12日，美國商務部工業和安全局（BIS）發布了一項臨時最終規則（Interim final rule），作為《商業管制清單》（CCL）和《出口管理條例》（EAR）的相應部分，以實現對四個方面的控制，分別為兩種超寬帶隙半導體襯底——氧化鎵和金剛石、GAAFE結構集成電路所必需的電子計算機輔助設計軟件EDA（ECAD）、用于生產和開發燃氣渦輪發動機部件或系統的壓力增益燃燒 (PGC) 技術。

　　臨時最終規則是由聯邦機構發布的規則，在發布后生效，無需首先就規則的實質內容征求公眾意見，一般在緊急情況和其他需要時使用，可以幫助加快監管流程，以便能快速實施有約束力的監管要求，最終由法院來確定該臨時最終規則是否合理，不利的裁決可以使相關機構重啟監管程序。

　　雖然這次沒有點名中國，但就美國在半導體領域的禁令而言，我國成為首要目標這件事是毋庸置疑的。

　　8月15日，該規則正式生效，意味著美國在半導體領域控制的進一步加碼。

      不過，關于EDA的禁令將延遲60天生效，具體生效日期為2022年10月14日，其中有30天是意見征詢期。目前，美國BIS正在征求公眾意見和行業意見，以確定哪些EDA特性尤其適合設計GAAFET，以便進行進一步管控。

　　EDA（Electronic Design Automation，電子設計自動化）是集成電路設計的關鍵軟件，一度被稱為“半導體皇冠上的明珠”，可用于輔助完成超大規模集成電路芯片的設計、 制造、封裝、測試等流程，幾乎涉及了集成電路的各個方面，由美國EDA三巨頭Cadence、Synopsys（新思科技）、Siemens（西門子）等公司構建，這三家公司在我國EDA市場的占有率近8成。

　　美國的新規則限制了用于GAAFET架構集成電路所必需的EDA軟件，意味著限制了高端芯片的設計。

　　GAAFET（Gate-All-Around FET，全環繞柵極晶體管）被廣泛認為是鰭式場效應晶體管（FinFET）的接任者，在過去的十余年時間里，FinFET一直是半導體器件的主流結構。今年6月，三星宣布率先量產了基于GAAFET技術的3nm工藝，臺積電目前仍未導入。

　　美商務部表示，GAAFET是芯片制程突破3nm及以下的關鍵技術節點，負責出口管理的商務助理部長Thea D. Rozman Kendler稱，“我們正在通過多邊制度實施控制，保護規則中確定的四種技術免受惡意使用，這項規則表明，我們將致力于同我們的國際伙伴一起實施出口管制”。

　　可見，美國已經在半導體先進制程上設好了路障，預先攔截其他國家可能實現的半導體技術突破，主要是將中國擠出下一代半導體競爭。

　　其實早在本月初，就有消息人士透露，美商務部將發布新規則限制對華出口EDA軟件，如今，隨著美國芯片法案的落地以及一系列半導體禁令的展開，EDA禁令也被正式提出。

　　目前，我國的芯片廠商們主要停留在5nm和7nm的制程關卡，到2nm和3nm制程還有段距離，可能對這項禁令的反應不會特別明顯，但限制EDA工具帶來的潛在威脅仍不容忽視，關系到中國半導體產業的未來。

　　這就讓人不得不把目光聚焦到EDA國產化的層面上來。

　　賽迪智庫的數據顯示，2018~2020年我國本土EDA軟件的營收份額從6%提升到了11%，取得了一定程度的進步，但面對美國EDA三巨頭在我國市場78%的份額，還是相去甚遠。

　　而且，國內相關廠商主要分散在細分領域耕耘，無法覆蓋全EDA產業鏈，而且以點工具為產品的企業居多，距離工業化仍有一段路要走，這樣一來，從建立全流程生態到實現3nm及以下制程工藝的突破，對每一家企業來講，都需要一定的時間。

　　不過，即便任重道遠，也還是要向前行進的，畢竟，這場半導體之戰，已不容人后退。

　　只是不知道，發展EDA和制造光刻機，哪個會更容易些。

　更多信息可以來這里獲取==>>電子技術應用-AET<<