2022年上半年，受俄烏軍事沖突和疫情反復(fù)影響，國內(nèi)外經(jīng)濟(jì)均面臨下行壓力，供需雙下滑，工業(yè)生產(chǎn)、企業(yè)投資、居民消費、國際貿(mào)易增速放緩，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)波動發(fā)展態(tài)勢。全球發(fā)達(dá)國家采用空前力度加大半導(dǎo)體資金投入，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈的本土化和自主可控發(fā)展趨勢明顯，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略性愈發(fā)突出。與此同時，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)入歷史窗口期，材料和器件快速產(chǎn)業(yè)化、下游新能源汽車、光伏市場快速增長，上游晶圓供不應(yīng)求，快速導(dǎo)入市場、投融資兩旺、新增產(chǎn)能陸續(xù)開出，行業(yè)整體保持較好增長態(tài)勢，但受宏觀形勢影響，以快充為代表的消費電子市場增長有所放緩，氮化鎵功率電子開拓新市場需求迫切。

　　國際：半導(dǎo)體競爭激烈，國際格局或變化

　　各經(jīng)濟(jì)體加大半導(dǎo)體資金投入。隨著新冠肺炎疫情和國際貿(mào)易摩擦的持續(xù)，以及2021年全球出現(xiàn)半導(dǎo)體芯片缺貨漲價潮，全球主要經(jīng)濟(jì)體紛紛出臺半導(dǎo)體扶持計劃，大幅增加資金投入，吸引企業(yè)投資，著力保障半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈自主和安全。8月9日，美國總統(tǒng)拜登簽署“2022芯片與科學(xué)法案”，明確將投入520億美元支持本土半導(dǎo)體生產(chǎn)制造。此前，歐盟委員會提出到2030年，計劃投入430億歐元（約460億美元）用以提振芯片產(chǎn)業(yè)。2021年底，日本 “半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基盤緊急強化一攬子方案”安排6170億日元用于強化半導(dǎo)體生產(chǎn)體系。2021年5月，韓國發(fā)布“K-半導(dǎo)體戰(zhàn)略”，預(yù)計到2030年向半導(dǎo)體領(lǐng)域投資510萬億韓元（約4000億美元，含153家企業(yè)投資）。預(yù)計未來五至十年內(nèi)，全球或?qū)⒂?.5萬億美元資金投向半導(dǎo)體領(lǐng)域。

　　美國“2022芯片與科學(xué)法案”或?qū)θ虬雽?dǎo)體格局產(chǎn)生影響。該法案主要包括兩方面內(nèi)容：一是向半導(dǎo)體行業(yè)提供約527億美元的資金支持，并為企業(yè)提供價值240億美元的投資稅抵免，鼓勵企業(yè)在美國研發(fā)和制造芯片；二是在未來幾年提供約2000億美元的科研經(jīng)費支持，重點支持人工智能、機器人技術(shù)、量子計算等前沿科技。此外，值得關(guān)注的是該法案禁止接受資助的公司在中國和其他特別關(guān)切國家擴(kuò)建先進(jìn)制程芯片，期限為10年。同時，美國加大對中國出口先進(jìn)制程機臺的限制。“芯片法案”通過后，美國還將加速構(gòu)建所謂“CHIP4聯(lián)盟”，以產(chǎn)業(yè)補貼和市場準(zhǔn)入為籌碼拉攏韓國、日本、中國臺灣地區(qū)等相關(guān)方，以形成美國為主導(dǎo)，對外封閉，內(nèi)部協(xié)作的“半導(dǎo)體小圈子”。

　　“芯片法案”及“CHIP 4聯(lián)盟”相關(guān)內(nèi)容和動作與美國政府近年來對中國半導(dǎo)體行業(yè)的一系列制裁措施一脈相承，旨在加速建設(shè)美國本土半導(dǎo)體制造供應(yīng)鏈，并著意打壓中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在先進(jìn)技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展。在此背景下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)傳統(tǒng)競爭模式或?qū)娜蚧⒑献骰⒎止せ蚨鄥^(qū)域化、多生態(tài)化、競爭化發(fā)展。

　　第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域科技項目支持為主。據(jù)材料深一度不完全統(tǒng)計，截止2022年6月，美國、英國、日本政府先后資助了10個第三代半導(dǎo)體相關(guān)項目，涉及金額超過1億人民幣。其中，美國能源部與國防部資助了高校企業(yè)5個GaN與SiC項目，重點研究800V SiC逆變器與GaN射頻。英國研究與創(chuàng)新機構(gòu)為打造本土功率電子供應(yīng)鏈，應(yīng)對疫情帶來的國際貿(mào)易影響，共向4個SiC/GaN項目提供約5537萬元支持，同時商業(yè)、能源和工業(yè)戰(zhàn)略部支持Cambridge GaN Devices（CGD）公司開展用于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源的高GaN功率IC技術(shù)項目；此外，日本新能源和工業(yè)技術(shù)開發(fā)組織(NEDO)資助了昭和電工的8英寸SiC晶片開發(fā)項目，應(yīng)對即將到來的8英寸SiC浪潮。

　　國內(nèi)：各地政策陸續(xù)更新，產(chǎn)業(yè)集聚加快

　　2022年上半年，中央層面，科技部國家重點研發(fā)計劃“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點專項2022年度項目中對第三代半導(dǎo)體材料與器件的7個項目進(jìn)行研發(fā)支持。

　　除了國家層面的科研資金支持外，地方政府多從科研獎勵、投資設(shè)廠、項目落地、人才吸引、集群建設(shè)等方面加快出臺政策，推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展。據(jù)不完全統(tǒng)計，2022年上半年，各級政府共發(fā)布29項與第三代半導(dǎo)體相關(guān)政策法規(guī)，政策密集度依舊較高。在省級層面10省份共發(fā)布12項，規(guī)劃性政策6項，支持性措施6項；市、區(qū)級層面17項，規(guī)劃性政策4項，落實性措施13項。從內(nèi)容上，地方性政策文件更加注重銜接國家、省頂層計劃，注重相關(guān)政策的落實與兌現(xiàn)，從資金、土地、人才、稅收、環(huán)境等產(chǎn)業(yè)發(fā)展的必備要素方面引導(dǎo)向第三代半導(dǎo)體集聚。同時，出臺政策較多的地區(qū)集中在湖南長沙、江蘇蘇州、廣東深圳、安徽合肥、浙江杭州等產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。

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