1月12日，山東天岳先進科技股份有限公司（簡稱“天岳先進”）在上交所科創板正式上市，發行價格為82．79元／股。

天岳先進成立于2010年，是一家國內領先的寬禁帶半導體（第三代半導體）襯底材料制造商，主營業務是碳化硅襯底材料的研發、生產和銷售。目前，公司主要產品包括半絕緣型和導電型碳化硅襯底，可應用于微波電子、電力電子等領域。經過十余年的技術發展，公司已掌握涵蓋了設備設計、熱場設計、粉料合成、晶體生長、襯底加工等環節的核心技術，自主研發了不同尺寸半絕緣型及導電型碳化硅襯底制備技術。

截至2021年6月末，公司擁有授權專利332項，其中境內發明專利86項，境外發明專利3項。通過數千次的研發及工程化試驗，公司核心技術不斷創新，所制產品已達到國內領先、國際先進水平。公司已同時具備半絕緣型碳化硅襯底材料和導電型碳化硅襯底材料的研發技術產業化能力。根據Yole統計，2019年及2020年，公司已躋身半絕緣型碳化硅襯底市場的世界前三。

天岳先進是我國第三代半導體材料碳化硅的龍頭企業，目前能夠供應2英寸－6英寸的單晶襯底。在半絕緣型SiC襯底領域，天岳先進產品電阻率已實現108Ω·cm以上，電學性能達到較高水平，已批量且穩定地供應給通信行業領先企業，用于其新一代信息通信射頻器件的制造。

據悉，天岳先進在上海臨港新片區建設碳化硅襯底生產基地，滿足不斷擴大的碳化硅半導體襯底材料的需求。該項目建設期為6年，自2020年10月開始前期準備，計劃于2022年試生產，預計2026年100％達產。公司的“碳化硅半導體材料項目”已被上海市發改委列入《2021年上海市重大建設項目清單》。為實現產能擴張，正在募資建立25億元項目。

當前國際上正從6英寸向8英寸邁進，而國內企業逐步掌握碳化硅襯底的制備技術，在導電型襯底已經實現4英寸襯底商業化，逐步向6英寸發展，疊加缺芯影響，國內也同樣出現碳化硅襯底產能供不應求的狀況。

“雙碳”政策下，第三代半導體材料的需求增加。其中新能源汽車持續發展，特別是800V高電壓平臺的熱門搭載，碳化硅襯底資源將成為功率器件的重要所需。

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