近日，露笑科技股份有限公司（以下簡稱“露笑科技”）發布投資者關系活動記錄表，針對產線產能及未來擴產計劃等話題進行了回應。具體內容如下：
有投資者提問稱，公司產線11月全面投產，目前產能情況如何？未來有無擴產計劃？露笑科技表示，目前公司現有的襯底片年產能為2．5萬片，后續將根據市場訂單情況繼續進行擴產，預計到明年6月份之前，公司將年產能擴大到10萬片。
此前，露笑科技表示在6寸碳化硅的長晶領域有獨到的技術支持，對于目前長晶技術方面有無申請專利？長晶過程的關鍵點在哪里？對此露笑科技表示，SiC晶體生長經歷了三個階段，即Acheson法（1891年）、Lely法（1955年）、改進的Lely法（1978年）。Acheson法主要用來生產磨料，現在仍是生產磨料的主要方法，鱗狀單晶片是副產品。Lely法的應用使SiC晶體生長向前邁進了一步，但是和Acheson法一樣，由于無法有效控制成核，單晶尺寸小，阻礙了SiC晶體的應用。1978年，前蘇聯科學家Tairov和Tsvetkov在前人的基礎上，率先使用籽晶生長出SiC單晶，稱為改進的Lely法。這是一個劃時代的發明，極大地促進了SiC晶體的生長和應用。西屋科學技術中心的科學家對改進的Lely法進行了優化，稱之為物理氣相輸運技術（PVT）。PVT法是目前生長SiC單晶最優異的方法。
從SiC晶體生長的簡單歷史回顧看出，由于Tairov和Tsvetkov兩位科學家以論文的形式，報道了他們的研究成果，而沒有申請專利，因此SiC晶體生長技術（這里專指PVT法）是公開的技術，任何單位和個人都有權使用這種方法生長SiC晶體。
6英寸碳化硅晶體生長的關鍵在于溫場的調控和籽晶的粘接，這些所謂的“know－how”是晶體生長研究者長期實踐的總結，一般是不申請專利的。目前已公開的SiC晶體生長專利主要側重于生長設備、晶體生長的某些細節或籽晶處理等方面。露笑技術團隊經過堅持不懈的技術攻關，全面掌握了生長工藝參數之間的耦合關系，確定了各工藝參數的優值，具備了可重復、可批量生長碳化硅晶體的設備及技術條件。基于技術保密的需要，露笑暫未申請相關專利，待時機成熟后公司會加大專利布局的力度。
被問及公司提供的襯底產品在全球處于什么水平，可否用于SiC功率器件時，露笑科技表示，公司生產的6英寸導電型4H－SiC襯底片已通過下游廠商驗證，各項參數達到了P級工業應用的國際標準，產品品質處于第一梯隊。公司的碳化硅襯底片既可用于碳化硅肖特基二極管（SBD），也可以用于金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）器件，能滿足絕大多數場景碳化硅功率器件的要求。
目前，露笑科技的襯底片應用領域包括碳化硅SBD二極管和MOSFET管，可以廣泛應用于新能源汽車、光伏等各個領域。公司的碳化硅襯底片車企和光伏領域都能應用，目前與下游一些知名廠商在積極接洽中。目前公司碳化硅襯底片生產工藝穩定，水電氣等運行也一切穩定，規模化量產不存在問題。
