11月23日，露笑科技發布2021年度非公開發行A股股票預案，擬定增募資逾29億投入第三代半導體等項目。

據披露，露笑科技擬向不超過35名特定對象非公開發行不超過4.81億股，募資總額不超過29.4億元。

重點瞄準碳化硅項目，規劃年產能24萬片

根據定增方案，露笑科技在扣除發行費用后，將用于“第三代功率半導體（碳化硅）產業園項目”、“大尺寸碳化硅襯底片研發中心項目”和補充流動資金項目，其中2個碳化硅項目計劃總投資26億元，擬使用募集資金24.4億元。

其中，第三代功率半導體（碳化硅）產業園項目是露笑科技此次重投項目，計劃總投資額21億元，擬使用募資基金19.4億元，由露笑科技控股子公司合肥露笑半導體材料有限公司（以下簡稱“合肥露笑半導體”）組織實施，建設期24個月。本項目完成后將形成年產24萬片6英寸導電型碳化硅襯底片的生產能力。

露笑科技指出，項目的實施能夠實現對下游客戶的穩定批量供應，緩解下游市場對碳化硅材料依賴國外進口的局面。

值得注意的是，合肥露笑半導體近日還與下游買家東莞天域半導體簽訂了《戰略合作協議》。

與東莞天域半導體簽訂15萬片大單

根據協議，東莞天域半導體將優先選用露笑半導體生產的6英寸碳化硅導電襯底，且未來三年（2022-2024年）合肥露笑半導體需為東莞天域半導體預留產能不少于15萬片。

同時，雙方同意共同協作在6英寸及以上規格碳化硅導電襯底方面進行產業化應用技術研發合作，在技術研發上互相支持合作，為碳化硅導電襯底的技術進步、產品成熟及下游產品的質量提升、穩定性提高和成品率提升等產業化應用方向進行密切合作。

露笑科技指出，本次戰略合作合一充分發揮東莞天域半導體在碳化硅外延、芯片、器件、模組等研產優勢和合肥露笑半導體在碳化硅底材料及相關專用裝備的研產優勢，實現優勢互補，全面開展碳化硅全產業鏈深入、務實的戰略合作。

資料顯示，東莞天域半導體成立于2009年，是中國第一家從事碳化硅 (SiC) 外延晶片市場營銷、研發和制造的民營企業，先后通過了工業級及車規級測試，整合了碳化硅材料、芯片與器件供應鏈，構建了產業優勢地位。2010年，東莞天域半導體與中國科學院半導體研究所合作，共同創建了碳化硅研究所。

今年7月，東莞天域半導體獲得深圳哈勃的投資，目前，深圳哈勃是其第五大股東，持股7.6087%。