在9月14日的中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)首席運(yùn)營(yíng)官程衛(wèi)華透露，長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存顆粒出貨超3億顆，128層QLC已經(jīng)準(zhǔn)備量產(chǎn)，TLC良率做到相當(dāng)水準(zhǔn)。

　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)是國(guó)內(nèi)唯一大規(guī)模量產(chǎn)了3D閃存的公司，2019年初實(shí)現(xiàn)了32層3DNAND量產(chǎn)，其首創(chuàng)Xtacking技術(shù)，順利研發(fā)出64層3DNAND，并于2019年9月量產(chǎn)256Gb（32GB）TLC3DNAND。

　　2020年4月份，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布推出128層堆棧的3D閃存。該公司稱(chēng)128層QLC3D閃存（X2-6070）是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格3DNAND，且擁有已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。

　　值得一提的是，此次同步登場(chǎng)的還有128層TLC閃存（X2-9060），單顆容量512Gb（64GB）。

　　性能方面，長(zhǎng)江存儲(chǔ)透露，兩款產(chǎn)品擁有1.6Gbps的I/O讀寫(xiě)性能，3DQLC單顆容量高達(dá)1.33Tb，是上一代64層的5.33倍。

　　據(jù)悉，兩款產(chǎn)品均采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)自研Xtacking2.0架構(gòu)，外圍電路和存儲(chǔ)單元可堆疊，帶來(lái)極佳的擴(kuò)展性。