武漢新芯3DLink?技術(shù)，賦能西安紫光國芯異質(zhì)集成嵌入式DRAM（SeDRAM）平臺

　　近日，武漢新芯集成電路制造有限公司（簡稱“武漢新芯”）——一家領(lǐng)先的集成電路研發(fā)與制造企業(yè)，與西安紫光國芯半導體有限公司（簡稱“西安紫光國芯”）開展專業(yè)領(lǐng)域縱深合作，其自主開發(fā)的3DLink?技術(shù)賦能西安紫光國芯異質(zhì)集成嵌入式DRAM （SeDRAM） 平臺，加速行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新實現(xiàn)重大突破：異質(zhì)集成嵌入式DRAM （SeDRAM）技術(shù)達到目前世界領(lǐng)先水平，相關(guān)技術(shù)論文已被IEDM 2020、CICC 2021成功錄取，在IMW 2021也做了專題報告。武漢新芯基于全新的三維集成技術(shù)平臺（3DLink?），實現(xiàn)了多款可定制化開發(fā)的工藝解決方案進入量產(chǎn)。

　　西安紫光國芯通過代工合作的方式使用武漢新芯晶圓堆疊技術(shù)3DLink?設計SeDRAM平臺，將DRAM晶圓和其他不同工藝節(jié)點的邏輯晶圓利用Cu-Cu（銅-銅）互連的方式直接鍵合，實現(xiàn)對存儲器的直接訪問。通過定制的DRAM支持多種容量（64MB、128MB、256MB到8GB）和多種帶寬；同時為不同邏輯工藝提供標準化接口和測試用IP，使SoC集成更加簡單快捷。武漢新芯3DLink?技術(shù)突破傳統(tǒng)封裝級Micro-bump互連架構(gòu)的限制，通過多片晶圓直接鍵合，達到高密度互連，實現(xiàn)從邏輯電路到存儲陣列之間每Gbit高達34GB/s的帶寬和0.88pJ/bit的能效?；赟eDRAM平臺的兩款SoC產(chǎn)品已經(jīng)在武漢新芯大規(guī)模量產(chǎn)。

　　“在傳統(tǒng)的計算機體系結(jié)構(gòu)中，計算單元和存儲器之間帶寬的鴻溝（即存儲墻問題）日益嚴重。西安紫光國芯的SeDRAM技術(shù)利用武漢新芯的3DLink?晶圓堆疊技術(shù)平臺，創(chuàng)新地將邏輯晶圓和DRAM晶圓直接鍵合，給業(yè)界提供了領(lǐng)先的超大帶寬、超低功耗內(nèi)嵌存儲器解決方案。公司憑借多年來的DRAM開發(fā)量產(chǎn)能力和SoC設計服務能力，持續(xù)創(chuàng)新，提出了并行高效的存儲架構(gòu)，讓SeDRAM平臺迸發(fā)出業(yè)界極具競爭力的單位帶寬和能效。同在紫光集團旗下，西安紫光國芯與武漢新芯多年來始終保持緊密、默契的友好合作關(guān)系。未來，公司還將持續(xù)推進更深層次的合作，為人工智能（AI）和高性能計算（HPC）等領(lǐng)域的超大帶寬、超低能耗需求提供快速有效的量產(chǎn)方案。”西安紫光國芯常務副總裁江喜平說道。

　　“SeDRAM平臺的成功設計以及多核SoC的高效開發(fā)，是雙方通力合作并深入挖掘3DLink?技術(shù)平臺優(yōu)勢和潛能的結(jié)果?！蔽錆h新芯COO孫鵬表示，“西安紫光國芯SeDRAM平臺對帶寬、算力、功耗等有很高的要求，如果采用先進制程工藝來實現(xiàn)理想的性能，不但成本高昂且還難以保證供應的穩(wěn)定性，而武漢新芯三維集成技術(shù)平臺3DLink?可使得這一問題迎刃而解。作為”超越摩爾“的新思路，武漢新芯3DLink?技術(shù)平臺利用納米級互連技術(shù)，以創(chuàng)新的架構(gòu)，讓客戶選用成熟工藝制程即可實現(xiàn)卓越的產(chǎn)品性能。未來我們將深入開展與合作伙伴的聯(lián)合定制化開發(fā)，將3DLink?技術(shù)平臺的價值不斷提升，更高效地為客戶提供有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品解決方案。”

　　關(guān)于武漢新芯3DLink?

　　武漢新芯3DLink?是業(yè)界領(lǐng)先的半導體三維集成技術(shù)平臺，可利用納米級互連技術(shù)將多片晶圓或晶圓與芯片在垂直方向直接連接在一起。該平臺包括兩片晶圓堆疊技術(shù)S-stacking?、多片晶圓堆疊技術(shù)M-stacking?和異質(zhì)集成技術(shù)Hi-stacking?等技術(shù)類別。其中S-stacking?主要應用于傳感器（如CIS, ToF）、高速運算及存算一體等產(chǎn)品，M-stacking?主要應用于高帶寬存儲器等產(chǎn)品。經(jīng)過多年的技術(shù)研發(fā)和量產(chǎn)，武漢新芯已搭建起穩(wěn)定可靠的晶圓級三維堆疊工藝平臺，同時開始開發(fā)針對不同芯片尺寸或不同基底材質(zhì)的異質(zhì)集成技術(shù)Hi-stacking?。

　　武漢新芯3DLink?技術(shù)能明顯減小芯片面積，實現(xiàn)更短的連接距離，同時可提升連接速度和通道數(shù)目，帶來高帶寬、低延時和低功耗等優(yōu)勢，為傳感器、高速運算和高帶寬存儲器等芯片系統(tǒng)提供強大的技術(shù)支持。

　　關(guān)于武漢新芯

　　武漢新芯集成電路制造有限公司（“XMC”），于2006年在武漢成立，是一家領(lǐng)先的集成電路研發(fā)與制造企業(yè)。武漢新芯專注于先進特色工藝開發(fā)，重點發(fā)展三維集成技術(shù)3DLink?、特色存儲工藝和特色邏輯工藝平臺，致力于為全球客戶提供高品質(zhì)的創(chuàng)新產(chǎn)品及技術(shù)服務。

　　武漢新芯擁有2座12寸晶圓廠，每座晶圓廠產(chǎn)能可達3萬片+/月。

　　關(guān)于西安紫光國芯SeDRAM

　　西安紫光國芯的異質(zhì)集成嵌入式DRAM（SeDRAM?）是業(yè)界領(lǐng)先的超大帶寬、超低功耗內(nèi)嵌存儲器解決方案。SeDRAM?采用納米級互連技術(shù)將DRAM晶圓和不同工藝晶圓在垂直方向上互聯(lián)，實現(xiàn)對存儲器的直接訪問；通過定制的DRAM設計支持多種容量（64MB、128MB、256MB到8GB）和多種帶寬；同時為不同的工藝提供標準化接口和測試IP，使SoC能夠方便簡單地集成。

　　依托開放式、定制化、平臺式的合作模式，西安紫光國芯憑借多年的DRAM開發(fā)量產(chǎn)能力和SoC設計服務的能力，將幫助有大帶寬、低功耗、高算力需求的客戶迅速開發(fā)產(chǎn)品并推向市場。

　　關(guān)于西安紫光國芯

　　西安紫光國芯半導體有限公司前身為成立于2004年德國英飛凌西安研發(fā)中心的存儲事業(yè)部，2006年分拆成為獨立的奇夢達科技西安有限公司，2009年被浪潮集團收購轉(zhuǎn)制成為國內(nèi)公司并更名為西安華芯半導體有限公司。2015年再次被紫光集團收購并更名為西安紫光國芯半導體有限公司。

　　目前公司擁有超過500名員工。公司擁有掌握存儲器和集成電路核心設計和測試技術(shù)的國際化團隊。公司核心業(yè)務是存儲器設計開發(fā)，存儲器產(chǎn)品量產(chǎn)銷售，以及專用集成電路設計開發(fā)服務，公司自成立以來，一直專注于存儲器特別是DRAM存儲器的研發(fā)和技術(shù)積累，產(chǎn)品持續(xù)量產(chǎn)銷售到國內(nèi)外，積累了良好的存儲器/SoC的設計、測試、規(guī)模生產(chǎn)及全球銷售等研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗。