報告要點
看好國內存儲器行業，關注新型存儲技術
存儲器是國之重器，國內兩大巨頭紫光國芯和武漢新芯均推出自己的產業發展藍圖，這將成為近年來國家集成電路產業最大手筆的投入，蘊含著巨大的投資機遇。另外，我們于近期拜訪了華中科技大學武漢光電國家實驗室的繆向水教授，繆教授是教育部“長江學者”特聘教授，是國內相變存儲器領域的頂尖專家，我們重點關注相變存儲器的產業化進展。
國內外巨頭紛紛布局相變存儲
三星早在2011年便推出PCM手機；Intel和Mircon在去年推出3D Xpoint，預計今年底或明年就能量產；IBM在多值存儲領域取得突破性進展，可大幅降低PCM的成本。國內研究機構主要有武漢光電國家實驗室和中科院上海微系統所，已經有產品開發出來。
國內相變存儲器的產業機遇
從全球整個產業的專利布局情況來看，三星占40%多，美光占9%，IBM15%，國內14%左右。從產業支持的角度來看，國內將興建多座存儲器工廠，相變存儲器的外圍電路用CMOS工藝就可以實現，包括讀寫電路、放大電路、編碼電路，都可以利用原來生產線大部分設備，只需添置部分設備就可以生產（如刻蝕），因此國內可以改造生產線來量產相變存儲器。
推薦標的
紫光國芯—全方位布局存儲器產業
深科技—涉足存儲器封裝，其他業務看點多
長電科技—收購星科金朋，布局高端封測
南大光電—相變存儲將拉動新型MO的需求
艾派克—不僅僅只有打印機
七星電子—設備領域深度受益
鼎龍股份—CMP拋光墊領域新秀
風險提示
系統性風險：電子行業發展不及預期
看好國內存儲器行業，關注新型存儲器技術
存儲器是國之重器，國內兩大巨頭紫光國芯和武漢新芯均推出自己的產業發展藍圖，這將成為近年來國家集成電路產業最大手筆的投入，蘊含著巨大的投資機遇。另外，我們于近期拜訪了華中科技大學武漢光電國家實驗室的繆向水教授，繆教授是教育部“長江學者”特聘教授，是國內相變存儲器領域的頂尖專家。
存儲器行業現狀
存儲器廣泛應用于計算機、消費電子、網絡存儲、物聯網、國家安全等重要領域，是一種重要的、基礎性的產品。據CSIA統計，2015年國內集成電路市場超過10000億，其中存儲器的市場總額（包括邏輯芯片中的存儲器）超過6100億元，市場空間巨大。
存儲器芯片領域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲器內的信息就流失了，例如DRAM，電腦中的內存條。非易失性：斷電以后，存儲器內的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和NOR FLASH），NOR主要應用于代碼存儲介質中，而NAND則用于數據存儲。在整個存儲器芯片里面，主要有的三種產品是：DRAM、NOR FLASH和Nand FLASH。
DRAM市場上主要由三星、海力士和美光三大巨頭壟斷，占比達到90%以上。從NandFLASH市場來講，2016年第一季度，三星占了35.1%，所占市場份額很大。整個存儲器芯片里面，三星所占市場份額是最大的，目前在市場上主導地位的是閃存（flash memory）。當工藝線寬小于16nm的時候，傳統閃存面臨著一定的物理極限。主要的問題：1、可靠性問題。工藝線寬尺寸小于16nm時，厚度逐漸下降，可靠性存在問題，可靠性限制了存儲器單層的厚度。2、當然那還有構造問題。3、擦寫速度慢。4、有效的擦寫次數。
國外巨頭紛紛布局相變存儲器
三星
2008年基于90nm工藝制備512Mb相變存儲器芯片；2011年基于58nm工藝制備1Gb相變存儲器芯片；2012年基于20nm工藝制備8Gb相變存儲器芯片；2014年發布相變存儲器的產業報告。
美光
2009年基于45nm工藝制備1Gb相變存儲器芯片；2011年發布第一款基于相變存儲器的SSD；2013年基于45nm工藝1Gb相變存儲器芯片實現量產；2015年聯合Intel發布3D Xpoint。
意法半導體
2009年聯合恒億共同發布90nm工藝4Mb嵌入式相變存儲器芯片；2010年，發布了通過材料改性工程N-GeTe實現更好的熱穩定性及數據保持；2013年，發布了通過材料改性工程N-Ge-GST實現SET與高低組保持的性能平衡。
IBM
2011年IBM發布了多值的相變存儲器操作算法，然后推出了基于MIEC材料選通的多層crosspoint存儲器。2014年IBM發布了6位多值存儲電阻漂移的算法解決辦法，2016年發布多值相變存儲器，進入90nm工藝。
國際其他產家，包括英特爾、臺積電等都有在其中做過相關工作。
國內相變存儲器發展情況
國內來說，主要是兩家：華中科技大學和中科院上海微系統所（宋志棠教授帶領的）。2010年華科制作的是1Mb, 中科院上海微系統所做的是8Mb的。
2009年武漢光電國家實驗室研制成功相變存儲器芯片，2010年我們研制成功1Mb的測試芯片，同時在相變速度方面，我們在全球是最快的，速度達到0.2ns。
此外，實驗室還研制出了相變存儲卡：
相變存儲器的產業化發展機遇
武漢新芯2006年成立，2008年量產，主要做NOR Flash，良率在世界范圍內很高。今年3月底啟動了國家集成電路基地項目，依托武漢新芯建設，主要做3D NAND 和DRAM，預計5年內投資240億美元，計劃2020年月產能達到30萬片，2030年月產能達到100萬片，規模是很大的，為一代的新型存儲技術產業化打下基礎。國內現在存儲器技術是熱點，三星在西安，英特爾在大連都要做3D NAND，海力士在無錫做NAND 和DRAM，最近福建晉江也建廠做DRAM。這些生產線，最小產能每個月10萬片以上，我國存儲器的產業現狀可以得到徹底改觀。以前存儲器進口占比95%，現在投入很大，國內和國外都在投，基本上都生產NAND 和DRAM。這些生產線的建設為以后新型存儲器的發展帶來很大的機遇。
從專利上來講，2002-2014年中2008-2009年專利是比較多的。全球整個專利布局方面，三星占40%多，美光占9%，IBM15%，國內14%。在國內中芯國際和上海微系統所在一起有200多個專利，華中科技大學有45個專利，復旦大學有29，半導體所有18個。從專利布局可以看出。三星從材料、結構、測試、工藝、電路方面占比分別為17.7%、28.5%、8.4%、14.8%、30.6%，可以看出每個公司在專利方面的布局重點壓在什么地方。國內也是材料占比15.07%，結構占比39.72%、工藝占比15.07%、電路占比19.86%、測試占比7.54%，其它占比2.74%，這是整個專利布局申請的保護領域占整個相變存儲器的比例。
相變存儲器發展趨勢
過去存儲容量提升都是通過 Scaling Down，從90nm到45nm，甚至16nm，在Scaling Down的過程中成本都一直在提高。現在相變存儲器提高存儲容量的方式有兩種，一種是三維堆疊，還有一種是多值技術。英特爾和美光重點突破的是三維堆疊技術，而IBM在多值存儲領域取得了突破性進展。
2015年英特爾和美光推出了3D-Xpoint存儲器，是基于相變材料，給相變存儲器帶來了新的機遇。這個是交叉點陣列的結構，另外存在空間堆疊，像汽車一樣，二維停車庫停的車很少，建多層停車場以后停的車就會多很多，以三維的方式來提高存儲密度。存儲密度是DRAM的8-10倍，讀取速度是目前閃存的1000倍，耐用性是閃寸的一倍，所以受到廣泛的關注。
相變存儲相關問題
1、問：國內在大力布局存儲器芯片制造，這些fab能否代工相變存儲器？
答：目前來講，武漢新芯主導產品是Nor Flash，目前生產線比較成熟，正在布局3D NAND Flash。相變存儲器的外圍電路用CMOS工藝就可以實現，包括讀寫電路、放大電路、編碼電路，都可以利用原來生產線大部分設備，只需添置部分設備就可以生產（如刻蝕），因此國內可以改造產線代工相變存儲器。但是如果公司想重新投一條相變存儲器芯片產線，成本太高，不經濟。從代工廠的角度說，如果有成熟的新興技術，通過改造產線實現生產更受歡迎。
2、問：國內在3D NAND Flash領域是處于追趕的狀態，在相變存儲領域是否可能實現彎道超車？
答：3D NAND Flash現在是三星一家領先，其他幾家基本處于同一水平。相變存儲領域國內布局比較早，若相變存儲要大規模生產至少國內有技術儲備，處于與國外并駕齊驅的狀態。
3、問：上海微系統所已經做出了8Mb的容量，那么要實現1GB甚至1TB的跨越，難點在什么地方?
答：難點在于我們研發的設備比生產線的設備落后很多。一般來講，研發機構的設備比公司的要高級，但是在集成電路行業，公司設備比研究所的高級，公司不愿意用更高級的設備去研發。比如中芯國際做研發的都是試驗線，而不會是產業線。假如我們有好的設備，在解決容量、探擾、功耗三個問題的前提下，我們也是可以做到1GB大容量的。
4、問：相變存儲器是否可以替代DRAM和FLASH？
答：相變存儲器現在的價格在DRAM和FLASH中間，它的容量比DRAM大，比FLASH低；它的速度DRAM慢一點，但比FLASH快很多。現在的存儲系統很不平衡，都走向極端，速度和容量不可同時滿足。而相變存儲器介兩者之間，能夠在速度和容量找到平衡點，找到自己市場。但是也不太可能完全替代DRAM和FLASH。
5、問：相變存儲器全產業鏈有哪些可以國產化，有哪些方向可以投資？
答：在材料源方面（硫系化合物半導體），假如我們用PVD的方法來做材料，那么可以去關注一些做靶材的公司。假如我們用化學的方法來做材料，可以去關注MO源的公司，比如南大光電；在機器方面，可以去投資做刻蝕設備的相關公司，重點關注北方微電子；在封裝方面，未來3D封裝是重點；在產品設計方面，可以重點關注紫光華芯等紫光體系的公司，另外也可關注做NOR FLASH設計的兆易創新。
6、問：您剛剛說了很多國內外公司關于相變存儲器做的工作，那您認為國內外在相變存儲器的技術上差距大不大，有多大？
答：國內目前在關鍵技術上有所突破，在相變存儲器專利方面國內占了14%-15%。我們在做相變存儲器研發的人員、數量和質量還比不上國外。目前國內就華中科技大學、中科院上海微系統所這2家專門做相變存儲器芯片，人員投入還不夠。因此和三星、美光相比，還是有一定的差距。但是在存儲器領域我們也有自己的核心技術，擁有一定的地位。
推薦標的
從整個國家存儲器產業來看，紫光國芯、深科技和長電科技為核心受益標的；從相變存儲器的角度來看，最相關的公司為南大光電和艾派克。
紫光國芯—全方位布局存儲器產業
設計領域
公司于2015年9月收購西安華芯的股權，收購完畢后持股比例達到76%。西安華芯始源于英飛凌半導體的存儲器事業部，是國內唯一具有世界主流大容量存儲器核心設計開發技術的公司。華芯自有品牌大容量DRAM芯片及內存條已成功量產上市，廣泛應用于服務器、平板電腦、電視機頂盒、工業控制等領域，產品也遠銷到大陸以外的臺灣、韓國、歐洲等地。
制造領域
2015年11月，紫光國芯公告擬定向增發800億資金，成為A股有史以來最大規模的再融資。定增資金主要用來三個項目，其中，包括932億元的資金用來投資建造存儲器工廠，規劃兩年時間完成。工廠實施完成并達產后，預計每月可新增12萬片的存儲芯片產能。預計年均營收為354億元、年均利潤總額為87億元、投資回收期為6.28年（含建設期2年）。
封測領域
目前公司正在積極推進參股臺灣力成和南茂事宜，我們認為紫光集團同時入股兩家臺灣封測廠力成和南茂，有三大利好影響：
加強大陸與臺灣半導體企業和產業鏈的合作，互利共贏；
力成和南茂都是半導體封測公司，分別側重于集成電路和存儲器芯片的封裝、測試，二者有望在業務中達成合作，共享客戶與技術方面的資源；
紫光集團的大手筆收購增強了在存儲器產業的實力，幫助旗下上市平臺紫光國芯在半導體產業的成長中獲得更多的份額，企業價值凸顯。
其他業務
在存儲器芯片之外，公司是國內智能卡芯片龍頭，并積極布局特種集成電路領域，在去年已開拓大量客戶，在軍隊信息化加速、自主可控需求提升的背景下，公司作為特種集成電路的“航空母艦”將迎來良好發展機遇。
深科技—涉足存儲器封裝，其他業務看點多
深科技致力于提供硬盤零部件、固態存儲、通訊及消費電子、醫療器械等各類電子產品的先進制造服務以及計量系統、支付終端、自動化設備的研發生產，目前公司切入到LED新能源領域，成立的子公司進行了LED芯片、外延片、封裝模組、照明應用等全產業鏈的布局。
磁頭及硬盤盤基片制造商，外延布局存儲器封測
深科技是全球第二大硬盤磁頭專業制造商，也是中國唯一的硬盤盤基片制造商，掌握核心制造技術。目前公司90%的磁頭產品已經實現了自動化或半自動化生產，加之在防振、臟污控制、防靜電干擾、高等級凈化間生產控制等方面的工程能力，公司在磁頭制造領域處于國際領先水平。
2015年，公司全面收購沛頓科技（深圳）有限公司（以下簡稱“沛頓科技”），沛頓科技在芯片存儲行業內領先的DRAM和NAND FLASH等封裝檢測技術、生產設備、客戶資源和高端人才。沛頓科技現有產品包括內存芯片DRAM和移動存儲封裝芯片（SIP）和嵌入式存儲芯片/嵌入式多功能芯片（eMMC/eMCP/MCP）。
其他業務看點充足
公司一直在積極推進固態硬盤項目，早幾年就有針對性的成立了專項小組來跟進固態硬盤的發展。日前，希捷和金士頓都意欲推進固態硬盤業務，公司已做好準備，可隨時承接固態硬盤的生產。
公司彩田園區城市更新單元規劃項目已獲得深圳市城市規劃委員會建筑與環境藝術委員會審批通過。項目拆除用地面積57,977.5平方米，開發建設用地面積43,828.4平方米，計容積率建筑面積為262,970平方米，其中產業研發用房195,280平方米（含創新型產業用房9,770平方米），產業配套用房62,050平方米（含配套商業21,000平方米、配套宿舍41,050平方米），公共配套設施5,640平方米。另外，允許在地下開發16,000平方米商業用房。
長電科技—收購星科金朋，布局高端封測
星科金朋總部位于新加坡，在韓國、新加坡、中國上海均設有工廠，在美國、歐洲、韓國等地均擁有銷售團隊，產品定位中高端，覆蓋全球主要消費市場的客戶。公司完成對星科金朋的收購后，行業排名從第六位躍升至第四位，全球市場占有率從3.9%提升至10%。
星科金朋技術領先，客戶資源豐富
星科金朋不僅具有先進的封裝技術，更有優質的客戶資源，在技術方面，星科金朋的eWLB、TSV、SiP、PoP等均為行業領先的高端封裝技術能力；在客戶方面，覆蓋了國際高端客戶，包括高通、博通、SanDisk、Marvell等。
星科金朋擁有多種先進封裝技術，主要有FC（倒裝）、eWLB（嵌入式晶圓級球柵陣列）、TSV（硅通孔封裝技術）、SiP（系統級封裝）、PiP（堆疊組裝）、PoP（堆疊封裝）等。
星科金朋的客戶涵蓋集成電路制造商和集成電路設計企業，并且許多客戶都是各自領域的市場領導者。
國內存儲器封測需求加大，公司深度受益
公司收購星科金朋后，無論是產能還是封測技術均成為國內封測行業絕對龍頭，同時與中芯國際、國家集成電路產業投資基金深度綁定，將充分受益于整個集成電路產業向國內轉移。
從芯片產品端來看，國內布局最廣且投入力度最大的是存儲器芯片，公司具備存儲器芯片領域完善的封測技術，將深度受益于這一趨勢。
MO源即高純金屬有機源，目前90%左右的應用都集中于LED領域，其也是制造新一代太陽能電池、相變存儲器、半導體激光器、射頻集成電路芯片等的核心原材料。目前相變存儲器主要使用GST（Ge、Sb、Te）材料，公司有含這三種材料的MO源，隨著PCM技術的發展，若它能在市場上得到大規模的商用，上游MO源行業將直接受益，公司作為全球MO源生產的領導企業，業績將會出現明顯的提升。
從公司的布局來看，主要分為三大塊業務：MO源、高純特種氣體和光刻膠。
1、 公司的MO源前主要應用于下游制備LED外延片，其產品不僅實現了國內進口替代，還遠銷歐美及亞太地區，積累了如Osram、飛利浦、豐田合成、晶元光電、三安光電、士蘭明芯、華燦光電、乾照光電等一大批穩定優質的客戶資源；
2、 公司子公司全椒南大光電完成了7條生產線的建設，具備了35噸高純磷烷、15噸高純砷烷等產品的生產能力。
3、 公司參股北京科華31.39%，切入到光刻膠領域。
艾派克—不僅僅只有打印機
艾派克主營業務包括集成電路芯片、通用打印耗材及核心部件和再生打印耗材的研發、生產和銷售，主要產品包括打印耗材芯片、打印耗材及相關部件等；艾派克通過收購Lexmark（世界領先的打印產品及服務供應商，產品包括打印機、耗材及相關軟件及服務），一舉奠定了其打印領域全產業鏈的龍頭地位。
艾派克在存儲器領域的布局
艾派克在非易失性存儲器設計及應用領域擁有多項核心技術。艾派克已具備0.35、0.18和0.13微米工藝的非易失性存儲器EEPROM設計與生產能力，特別在高速EEPROM和低功耗EEPROM設計上具有較強優勢，目前艾派克擁有相關EEPROM_IP16項。
艾派克助推PCM商業化
艾派克獲得上海微系統研究所相變存儲器PCRAM_IP在打印機及打印耗材芯片領域獨家使用授權，通過排他性合作增加了艾派克的競爭優勢。從研究所角度看，其PCM技術可以快速實現產業化，有助于進一步研發投入。兩者優勢互補，促進協同發展。
七星電子——設備領域深度受益
在元器件領域，公司依托60多年的元器件技術積累，建立了完善的新產品、新工藝研發體系，其電阻、電容、晶體器件、微波組件、模塊電源、混合集成電路等高精密電子元器件被廣泛應用于精密儀器儀表、自動控制等高精尖特種行業。隨著國家進一步推進軍用電子元器件國產化政策，軍用元器件的需求保持10%-15%的穩定增長且毛利率水平高，是公司當前利潤的主要來源。
在半導體設備領域，公司集成電路設備逐步由研發進入應用的關鍵階段，目前為公司貢獻業績的主要是應用于電力電子、光伏等領域的設備；公司收購北方微電子，其產品主要包括刻蝕、PVD和CVD幾大類，應用領域包括集成電路制造、封裝、LED、功率半導體、化合物半導體等細分市場，客戶涵蓋中芯國際、武漢新芯、三安光電等國內大廠，有望深度受益于新一輪國內大規模晶圓廠投資浪潮。
此外，公司通過自主研發的鋰離子動力電池設備的技術水平處于國內領先地位，主要應用于動力汽車和儲能行業。在中國動力電池巨大市場需求的驅動下，預計中國2016年鋰離子電池設備市場將增長17%，達到34億元規模，公司相關業務將深度受益。
公司將實現半導體設備的自主可控，預計公司16-18年凈利潤分別為1.01億元、1.63億元、2.43億元，對應EPS分別為：0.22、0.36、0.53元。
鼎龍股份——CMP拋光墊領域新秀
公司大力投入裝備及人才力量，2016 有望形成初步產能。若一二期產能50 萬片達產后，預計年新增銷售收入100，000 萬元，正常年度新增年均利潤總額41，177 萬元，稅后利潤35，000 萬元。鼎龍2015 年主業的收入約為10.5 億人民幣，若CMP項目的順利實施會使公司的營業收入迎來翻番，再造“一個鼎龍”。
公司擁有彩色聚合碳粉、再生硒鼓和打印耗材芯片是鼎龍旗下的三大業務模塊，規模效應十分突出，而且三者優勢互補，協同發展。收購旗捷將力促鼎龍在芯片領域具有話語權，收購佛萊斯通則讓鼎龍在化學碳粉領域具有產業控制力，硒鼓耗材方面則在產業鏈打通的背景下，未來具有產業繼續整合的空間，公司將有望在耗材領域實現龍頭霸主的地位，未來利潤有望跨越式提升。
公司推進集成電路芯片及制程工藝材料研發中心項目，研發并布局新的IC 產業方向，著眼長遠，凸顯上市公司的深謀遠慮。在整合打印耗材產業鏈的同時將業務延伸至IC 產業，并以數字圖文快印O2O 的方式打造全新的數字打印市場，而且促進與打印耗材市場的融合。
公司深入打造“互聯網+中心工廠+窗口店”全新的圖文快印商業模式，實現線上線下的融合。作為行業內唯一能夠提供全系列兼容耗材的公司，鼎龍有能力打破國外耗材廠商對終端的壟斷，成為快印行業的整合者。預計16年-18年EPS分別為0.66、0.93、1.14元。
風險提示：
系統性風險：電子行業發展不及預期