投資界－西安創(chuàng)業(yè)6月16日消息，日前，西安晟光硅研半導體科技有限公司（以下簡稱“晟光硅研”）完成戰(zhàn)略融資，投資方為深圳市捷佳偉創(chuàng)新能源裝備股份有限公司（以下簡稱“捷佳偉創(chuàng)”），助力晟光硅研打造成為一個面向泛半導體行業(yè)擁有科技承載力和創(chuàng)新驅動發(fā)展示范性的高新技術公司。此次投資后，晟光硅研注冊資本增加至2133．33萬元人民幣。

晟光硅研成立于2021年2月，主營業(yè)務為半導體材料及專用設備的研發(fā)和銷售，主要產(chǎn)品包括圍繞第三代半導體晶圓材料的滾圓、切片、劃片等設備。作為新一代半導體材料加工設備的技術領先者，晟光硅研擁有半導體加工設備領域核心技術專利9項，其掌握的微射流激光切割技術，已經(jīng)成功完成6英寸碳化硅晶錠的切割，可實現(xiàn)高效率、高質(zhì)量、低成本、低損傷、高良品率碳化硅單晶襯底制備，在第三代半導體切割領域具有獨創(chuàng)性、開拓性與先導性，將引起全球范圍內(nèi)該領域的技術迭代，具有非常廣泛的推廣應用價值。

據(jù)了解，晟光硅研發(fā)明專利一種碳化硅晶片單向四次雙向六及八級臺階切割工藝，通過上面在碳化硅晶錠厚度方向的對稱位置第1次切割至最深位置；隨后在左邊和右邊同樣地進行3次切割到與第1次相同深度，從而建立起一個相對平緩的多次水射流寬度的面，這個面作為避免水柱干擾的第二深度切割的起始面；在中心對稱線的左側采用相同的噴口進行第2層首次切割到其最深深度；隨后在厚度對稱軸線的右側進行2次切割，并達到與第2層首次切割的相同深度；進行第3層首次切割，以達到碳化硅晶錠半徑以上深度。本發(fā)明通過臺階法切割實現(xiàn)單晶碳化硅晶錠的高深度切割，實現(xiàn)了高效率、高質(zhì)量、低成本、低損傷、高出品率制備SiC單晶襯底，具有推廣應用的價值。

晟光硅研總經(jīng)理楊森在本次活動中首次公開披露技術細節(jié)及技術延展路徑，微射流激光技術經(jīng)過晟光硅研團隊持續(xù)兩年的研發(fā)，一次切割完成的晶片表面形貌已接近CMP處理水平。并完成9項專利注冊，6項原創(chuàng)發(fā)明專利的申報，并在切割技術領域已經(jīng)做好市場推廣計劃和長期技術升級規(guī)劃。

西安航天基地投資合作委員會主任田農(nóng)指出，在中 美脫鉤的大背景下，國內(nèi)自主創(chuàng)新發(fā)展是必由之路，以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體一直以來備受市場重視，晟光硅研作為航天基地科技成果就地轉化項目，獲得了上市公司捷佳偉創(chuàng)的戰(zhàn)略投資，并得到行業(yè)頭部企業(yè)的認可，是發(fā)展的重要里程碑。

投資方捷佳偉創(chuàng)董事長余仲表示，隨著5G、人工智能、新能源車的快速發(fā)展，我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)也正全面爆發(fā)，未來的發(fā)展需要前瞻科技，助力初創(chuàng)企業(yè)，推動本土創(chuàng)新。面對這個重要歷史機遇，捷佳偉創(chuàng)將助力晟光硅研，抓住信息產(chǎn)業(yè)半導體材料應用領域最新發(fā)展趨勢，共同推動中國半導體領域的換道超車。

捷佳偉創(chuàng)是一家國內(nèi)領先的從事晶體硅太陽能電池設備研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的國家高新技術企業(yè)。主要產(chǎn)品包括PECVD及擴散爐等半導體摻雜沉積工藝光伏設備、清洗、刻蝕、制絨等濕法工藝光伏設備以及自動化（配套）設備、全自動絲網(wǎng)印刷設備等晶體硅太陽能電池生產(chǎn)工藝流程中的主要及配套設備的研發(fā)、制造和銷售，2020年度年營業(yè)收入40余億。