新年伊始，在半導體領域，從工業(yè)界到學術界碳化硅（SiC）技術已經出現(xiàn)了許多頭條新聞中。

　　在過去幾年中，寬帶隙半導體的崛起已經得到了充分的證明。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等新型半導體材料提供了更高的速度、效率和工作條件，已被證明在高壓應用中非常有用。這些應用包括電力電子、電動汽車等。

　　SiC vs. GaN vs. SI

　　2021年至今的一個月之內，SiC技術已經出現(xiàn)在了許多頭條新聞中，橫跨工業(yè)界和學術界。

　　例如，本月ROHM半導體公司宣布，為提高公司的SiC產能而專門建造的新工廠竣工。新工廠將采用最先進的SiC制造技術，以提高生產效率、擴大晶圓直徑和增加產量，新工廠旨在將二氧化碳排放量比傳統(tǒng)工廠降低20％。

　　ROHM的筑后市工廠

　　僅在本月，就有多家研究機構和半導體供應商發(fā)布了基于SiC的新進展，這些新成果可能會克服這個WBG的制造和設計挑戰(zhàn)。

　　SiC可以走多遠

　　在學術界，2021年一個引人注目的SiC頭條新聞來自名古屋工業(yè)大學的最新研究。

　　該研究小組提出了一種無損測量碳化硅器件中載流子壽命的方法。這是一項重要的成果，因為許多研究人員一直在嘗試平衡SiC載流子壽命-在足夠的電導率調制（這需要較長的載流子壽命）和開關損耗（需要較短的載流子壽命）之間尋找最佳平衡點。

　　在過去，這一努力只能通過侵入性技術來測量，需要研究人員真正地切開并分析半導體。

　　名古屋工業(yè)大學提出的無創(chuàng)載流子壽命測量技術

　　在他們提出的方法中，研究人員使用激發(fā)激光器來創(chuàng)建載流子，并使用帶有檢測器的探針激光器來測量激發(fā)載流子的壽命。有了這種可以進行更簡單、非侵入性分析的技術，工程師們終于可以開始對載流子壽命進行微調，以達到傳導調制和低開關損耗的完美平衡。這在未來可能會帶來新一代更新、更高性能的SiC器件。

　　另一項SiC進展來自弗勞恩霍夫太陽能系統(tǒng)研究所（ISE）的研究人員，他們最近發(fā)現(xiàn)了一種新型的SiC晶體管，由于其高阻斷電壓，可以直接連接到中壓電網。這些新器件與大多數逆變器相反，它們向低壓電網供電，但可以使用50赫茲變壓器與中壓電網耦合。

　　弗勞恩霍夫ISE團隊創(chuàng)建的250-kVA的逆變器堆棧，其中包括3.3-kv-SiC-晶體管

　　Vishay和Cree希望通過SiC實現(xiàn)設計簡單化

　　注：Cree 將于今年年底改名為Wolfspeed

　　在學術研究人員在研發(fā)方面采用SiC取得進展的同時，行業(yè)供應商也在將更多有用的基于SiC的器件交到實踐工程師手中。

　　例如，  Vishay最近發(fā)布了新型高效SiC肖特基二極管。該公司發(fā)布了10種全新的SiC二極管，所有這些二極管均可承受650 V的VRRM和4 A至40 A的正向電流。這些新型二極管的額定承受的最高結溫為175°C， 允許在非常高的溫度環(huán)境中工作--這對從事某些電力電子領域工作的設計人員來說至關重要。

　　新型SiC肖特基二極管系列規(guī)格。圖片由Vishay提供

　　第二條行業(yè)新聞來自Cree公司，該公司宣布推出Wolfspeed WolfPACK功率模塊。這款新的功率模塊采用Wolfspeed SiC MOSFET，是專門為在中功率范圍內而設計的。

　　據該公司稱，該產品的目標是最大程度地提高功率密度，同時又將設計復雜度降至最低。該系列旨在用于EV快速充電和太陽能等應用，在25°C的溫度下可提供1200 V的工作電壓，高達105 A的正向電流和11毫歐的R _DS（on）。

　　這對那些因設計復雜性的陷阱而難以整合合適的SiC解決方案的設計人員來說，可能會大有裨益。

　　SiC的強勁開端

　　從學術突破到新產品推向市場，SiC技術看起來在未來幾年會有快速增長。事實上，一些行業(yè)分析師預測，全球SiC市場將從2020年的7.49億美元猛增到2025年的18.12億美元。